特許
J-GLOBAL ID：201203045489392806
III族窒化物半導体の深紫外発光素子構造
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
特許業務法人 谷・阿部特許事務所
, 谷 義一
, 濱中 淳宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-186651
公開番号（公開出願番号）：特開2012-044120
出願日： 2010年08月23日
公開日（公表日）： 2012年03月01日
要約：
【課題】本発明は、高い発光効率を得ることができるIII族窒化物半導体の深紫外発光素子構造を提供することを目的とする。【解決手段】上記課題を解決するために、本発明のIII族窒化物半導体の深紫外発光素子構造は、AlGaN障壁層とGaN井戸層とからなるAlGaN/GaN短周期超格子層と、上記AlGaN/GaN短周期超格子層を上下に挟むように配置されるn型AlGaN層およびp型AlGaN層とを備えることを特徴とする。これにより、発光効率の高い、波長220-280nmの深紫外発光素子構造を作製することができるようになる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
AlGaN障壁層とGaN井戸層とからなるAlGaN/GaN短周期超格子層と、
前記AlGaN/GaN短周期超格子層を上下に挟むように配置されるn型AlGaN層およびp型AlGaN層と
を備えることを特徴とするIII族窒化物半導体の深紫外発光素子構造。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L33/00 186
, H01L33/00 112
5F041AA03
, 5F041AA11
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F141AA03
, 5F141AA11
, 5F141CA05
, 5F141CA40
, 5F141CA46
, 5F141CA65
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (1件)
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