特許
J-GLOBAL ID：201203047016999820

多数個取り配線基板およびその製造方法、ならびに配線基板およびその製造方法

発明者：
新納 範高

新納 範高 について

, 
越智 雅也

越智 雅也 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-146462
公開番号（公開出願番号）：特開2012-009767
出願日： 2010年06月28日
公開日（公表日）： 2012年01月12日
要約：
【課題】 金属めっき膜で被覆された環状導体およびV字状の分割溝が精度良く形成された多数個取り配線基板およびその製造方法、ならびに配線基板およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明は、複数の配線基板領域11を有するセラミック基体1と、セラミック基体1の上面の複数の配線基板領域11の境界線に形成されたV字状の分割溝3と、分割溝3に接するそれぞれの配線基板領域11の周縁部111に形成された、金属めっき膜21で被覆された環状導体22とを備え、分割溝3の内面がセラミック基体1から金属めっき膜21にかけてガラス層31で覆われていることを特徴とする多数個取り配線基板である。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
複数の配線基板領域を有するセラミック基体と、該セラミック基体の上面の前記複数の配線基板領域の境界線に形成されたV字状の分割溝と、該分割溝に接するそれぞれの前記配線基板領域の周縁部に形成された、金属めっき膜で被覆された環状導体とを備え、前記該分割溝の内面が前記セラミック基体から前記金属めっき膜にかけてガラス層で覆われていることを特徴とする多数個取り配線基板。
IPC (3件)：
H05K 1/02 ,  H05K 3/00 ,  B23K 26/00
FI (5件)：
H05K1/02 G ,  H05K3/00 X ,  H05K3/00 N ,  B23K26/00 D ,  B23K26/00 H
Fターム (10件)：
4E068AD00 ,  4E068DA09 ,  4E068DB12 ,  5E338AA18 ,  5E338BB32 ,  5E338BB35 ,  5E338BB47 ,  5E338CC05 ,  5E338EE21 ,  5E338EE31
引用特許：
審査官引用 (4件)
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