特許
J-GLOBAL ID：200903086061505641
受動電子素子基板上にスクライブラインを形成する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
松永 宣行
, 小合 宗一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-520247
公開番号（公開出願番号）：特表2007-531640
出願日： 2004年07月09日
公開日（公表日）： 2007年11月08日
要約：
【課題】多数の等間隔をおかれた電子素子が固定された受動電子素子基板が独立した回路素子にきれいに分離される方法を提供すること。【解決手段】鋭い折り線(44)を有するスクライブライン(36)を形成する方法は、基板(10)の厚さ(24)の一部が除去されるようにセラミック又はセラミックに似た基板(10)に沿って紫外線レーザビームを向けることを必要とする。紫外線レーザビームは、相当量の基板溶融なくして基板にスクライブラインを形成し、これによりきれいに規定された折り線が基板の厚さ内に伸びる高応力集中領域を形成する。その結果、独立した回路素子になるように基板の破断を生じさせるスクライブラインの側部に付与される破断力に応答して高応力集中領域において多数の深さ方向亀裂が基板の厚さ内に伝播する。この領域の形成は非常に正確な基板の破断を容易にし、他方、破断力の付与の間及び後に各素子の内部構造の一体性を維持する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
受動電子素子基板にスクライブラインを形成する方法であって、前記スクライブラインは該スクライブラインにより規定される側縁を有する独立した複数のピースへの前記基板の破断を容易にし、前記基板は厚さと複数の同一の互いに間隔をおかれた電子素子のパターンが形成される表面とを有し、前記電子素子は、前記基板の破断により生じた独立したピースが独立した回路素子を含むように前記スクライブラインが形成されるストリートにより分離され、
前記スクライブラインの形成方法が、
前記基板の表面上の前記ストリートの一つに、エネルギ及びスポットサイズにより特徴付けられる紫外線レーザビームを整列させること、
前記紫外線レーザビームと前記基板との間に、溝を形成するために前記レーザビームが前記ストリートに沿って長手方向に向けられかつ深さ方向に基板材料の除去を生じさせるように相対運動を加えることを含み、
前記紫外線レーザビームのエネルギ及びスポットサイズは、前記基板材料中に形成された溝が前記表面から溝の底へ鋭い折り線の形態で収束する幅を有するように、前記基板材料の明らかな溶融なしに前記厚さ方向への除去を生じさせ、
前記溝の形状は、前記基板の厚さ方向へ及び前記折り線に沿って伸びる高応力集中領域を形成し、このために、前記溝の各縁に加えられる破断力に応答して、厚さ方向への多数のひび割れが前記高応力集中領域において前記基板の厚み内に伝播し、前記基板のきれいな破断を生じさせ、前記折り線により規定された側縁を有する独立した複数の電子素子にする、スクライブラインの形成方法。
IPC (4件)：
B28D 5/00
, B23K 26/00
, B23K 26/073
, H01G 4/30
B28D5/00 Z
, B23K26/00 D
, B23K26/073
, H01G4/30 311A
, B23K26/00 N
3C069AA03
, 3C069BA08
, 3C069CA03
, 3C069CA06
, 3C069EA02
, 4E068AD01
, 4E068CA07
, 4E068CA11
, 4E068DB12
, 4E068DB13
, 5E082FG26
, 5E082FG52
, 5E082MM05
