特許
J-GLOBAL ID：201203047436045384

III族窒化物結晶の成長方法およびIII族窒化物結晶基板

発明者：
吉田 浩章

吉田 浩章 について

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上松 康二

上松 康二 について

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森下 昌紀

森下 昌紀 について

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廣村 友紀

廣村 友紀 について

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藤原 伸介

藤原 伸介 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫 ,  佐々木 眞人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-141775
公開番号（公開出願番号）：特開2012-006772
出願日： 2010年06月22日
公開日（公表日）： 2012年01月12日
要約：
【課題】複数の種結晶基板を用いて表面にピットを発生させることなく大型のIII族窒化物結晶を成長させるIII族窒化物結晶の成長方法を提供する。【解決手段】本III族窒化物結晶の成長方法は、複数の種結晶基板1を、それらの主表面1mが互いに平行にかつそれらの側表面1sが互いに隣り合うように配置し、それらの種結晶基板1の主表面1m上に、液相成長法により、第1のIII族窒化物結晶10を成長させる第1の結晶成長工程と、第1のIII族窒化物結晶10の主表面上に、ハイドライド気相成長法により、第2のIII族窒化物結晶20を成長させる第2の結晶成長工程とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
所定の面方位の主表面および複数の側表面を有する種結晶基板を複数準備する工程と、 複数の前記種結晶基板を、それらの主表面が互いに平行にかつそれらの側表面が互いに隣り合うように配置する工程と、 配置された複数の前記種結晶基板の主表面上に、液相成長法により、第1のIII族窒化物結晶を成長させる第1の結晶成長工程と、 前記第1のIII族窒化物結晶の主表面上に、ハイドライド気相成長法により、第2のIII族窒化物結晶を成長させる第2の結晶成長工程と、を備え、 前記第1のIII族窒化物結晶は、それぞれの前記種結晶基板の主表面上に成長するそれぞれの部分結晶が一体化するように成長させ、 前記第2のIII族窒化物結晶は、前記第1のIII族窒化物結晶と一体化するように成長させるIII族窒化物結晶の成長方法。
IPC (4件)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/20 ,  C30B 19/12 ,  H01L 21/205
FI (4件)：
C30B29/38 D ,  C30B25/20 ,  C30B19/12 ,  H01L21/205
Fターム (29件)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077CG01 ,  4G077CG07 ,  4G077DB05 ,  4G077ED01 ,  4G077ED04 ,  4G077EE05 ,  4G077EE06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077QA01 ,  4G077QA12 ,  4G077QA71 ,  4G077TA01 ,  4G077TA04 ,  4G077TB03 ,  4G077TK04 ,  4G077TK08 ,  5F045AA01 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AF04 ,  5F045AF12 ,  5F045BB12 ,  5F045DQ08
引用特許：
審査官引用 (4件)
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