特許
J-GLOBAL ID：200903053883875674

製造装置、結晶製造方法、基板製造方法、窒化ガリウム結晶及び窒化ガリウム基板

発明者：
皿山 正二

皿山 正二 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 立石 篤司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-198607
公開番号（公開出願番号）：特開2008-110910
出願日： 2007年07月31日
公開日（公表日）： 2008年05月15日
要約：
【課題】均質で高品質な塊状のIII族窒化物結晶を安価に製造する。【解決手段】製造装置1000は、結晶作製装置100と結晶成長装置500を備えている。結晶作製装置100は、金属Naと金属Gaとを含む混合融液に窒素ガスを供給して第1のGaN結晶を作製する。この第1のGaN結晶は、転位密度が小さく(≦105cm-2)高品質である。第1のGaN結晶は、スライス及び研磨され、GaNウエハが作製される。結晶成長装置500は、作製されたGaNウエハを基板として、HVPE法によって基板上に第2のGaN結晶を結晶成長させ、塊状のGaN結晶を製造する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
III族窒化物結晶を製造する製造装置であって、 フラックス法によって作製された第1のIII族窒化物結晶上に、気相成長法を用いて第2のIII族窒化物結晶を結晶成長させる結晶成長装置を備える製造装置。
IPC (5件)：
C30B 29/38 ,  C30B 9/00 ,  C30B 25/20 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (5件)：
C30B29/38 D ,  C30B9/00 ,  C30B25/20 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610
Fターム (23件)：
4G077AA02 ,  4G077AB02 ,  4G077BE15 ,  4G077CC04 ,  4G077DB04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EH09 ,  4G077FG16 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077LA01 ,  4G077TB02 ,  4G077TJ02 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  4G077TK11 ,  5F041CA40 ,  5F041CA67 ,  5F173AH22 ,  5F173AP30
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 特許第3788037号公報
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM