ナノインプリント用モールドの設計方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉本勝徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-047435
公開番号（公開出願番号）：特開2012-183692
出願日： 2011年03月04日
公開日（公表日）： 2012年09月27日
要約：

【課題】ナノインプリント用モールドの設計において、樹脂の収縮を補償して設計値とほぼ等しい寸法のパターンを実現できる方法を提供する。【解決手段】等間隔に配列された複数の凹凸のパターンを有し、プレスによりそのパターンを柔軟な材料でできた膜2に転写するナノインプリント用モールドの設計において、膜2の表面に形成される凸部22のパターンが、線幅w1、高さh1、長さL1の直方体であるとき、凸部22に対応するモールド3の凹部31の線幅を、下記式(1)を用いて算出される線幅w3とする。ここで、p(w)は一般的な空間周波数の遮断関数の形式で表現した予測関数である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

等間隔に配列された複数の凹凸のパターンを有し、プレスによりそのパターンを柔軟な材料でできた膜に転写するナノインプリント用モールドの設計方法であって、前記膜の表面に形成される凸部のパターンが、線幅w1、高さh1、長さL1の直方体であるとき、前記凸部に対応する前記ナノインプリント用モールドの凹部の線幅を、下記式(1)を用いて算出される線幅w3とすることを特徴とするナノインプリント用モールドの設計方法。

IPC (3件)：

B29C 59/02 , B29C 33/42 , H01L 21/027

FI (3件)：

B29C59/02 B , B29C33/42 , H01L21/30 502D

Fターム (15件)：

4F202AG05 , 4F202AR12 , 4F202CA19 , 4F202CB01 , 4F209AF01 , 4F209AM23 , 4F209AR12 , 4F209PA02 , 4F209PB01 , 4F209PC06 , 4F209PC07 , 4F209PN06 , 4F209PQ11 , 5F046AA28 , 5F146AA28

引用特許：

審査官引用 (4件)

加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-356643 出願人：キヤノン株式会社
インプリント用モールドおよびインプリント用モールド製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-177943 出願人：凸版印刷株式会社
ナノインプリント方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-238829 出願人：公立大学法人大阪府立大学, 株式会社マルニ

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