半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-196867
公開番号（公開出願番号）：特開2012-084860
出願日： 2011年09月09日
公開日（公表日）： 2012年04月26日
要約：

【課題】酸化物半導体膜を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。【解決手段】酸化物半導体用ターゲットに含まれる複数種の原子の原子量の違いを利用し、原子量の小さい亜鉛を優先的に酸化物絶縁膜に堆積させ、亜鉛を含む種結晶を形成すると共に、種結晶上に原子量の大きいスズ、インジウム等を結晶成長させつつ堆積させることで、複数の工程を経ずとも、結晶性酸化物半導体膜を形成することを要旨とする。さらには、種結晶として、六方晶構造の亜鉛を含む結晶を有する種結晶を核として、結晶成長させて結晶性酸化物半導体膜を形成することで、単結晶、または実質的に単結晶である結晶性酸化物半導体膜を形成することを要旨とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上の絶縁表面に形成された酸化物絶縁膜上に、スパッタリング法により、亜鉛を含む六方晶構造の結晶を有する種結晶を形成すると共に、前記種結晶を核として結晶成長させて、六方晶構造の結晶を有する結晶性酸化物半導体膜を形成し、前記結晶性酸化物半導体膜を加熱処理した後、前記加熱処理した結晶性酸化物半導体膜を選択的にエッチングし、前記選択的にエッチングされた結晶性酸化物半導体膜上に一対の電極を形成し、前記選択的にエッチングされた結晶性酸化物半導体膜及び前記一対の電極上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (7件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136 , G02F 1/134 , H05B 33/08 , H01L 51/50 , H01L 21/363

FI (7件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 627F , G02F1/1368 , G02F1/1345 , H05B33/08 , H05B33/14 A , H01L21/363

Fターム (119件)：

2H092GA59 , 2H092JA25 , 2H092JA26 , 2H092JA36 , 2H092JA40 , 2H092JA44 , 2H092JB41 , 2H092JB69 , 2H092KA07 , 2H092KA12 , 2H092KA18 , 2H092MA04 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA13 , 2H092MA35 , 2H092NA21 , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC21 , 3K107CC42 , 3K107CC45 , 3K107EE04 , 3K107FF17 , 3K107GG26 , 3K107GG28 , 3K107HH04 , 5F103AA08 , 5F103BB22 , 5F103DD30 , 5F103GG01 , 5F103HH04 , 5F103LL13 , 5F103NN03 , 5F103RR08 , 5F110AA03 , 5F110AA06 , 5F110AA08 , 5F110AA14 , 5F110BB01 , 5F110BB05 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD07 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD24 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE30 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF35 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG13 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG43 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110HL11 , 5F110HL12 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110HL24 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN40 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN74 , 5F110NN77 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP35 , 5F110QQ01 , 5F110QQ02 , 5F110QQ06 , 5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (4件)

Zn系半導体発光素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-317354 出願人：信越半導体株式会社
特許第4415062号
半導体機器及びその製法
公報種別：公表公報出願番号：特願2008-540385 出願人：財団法人高知県産業振興センター, カシオ計算機株式会社

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