特許
J-GLOBAL ID：201203053029129883
半導体装置の電気的特性検査装置の電極構造およびそれを備えた半導体装置の電気的特性検査装置
出願人/特許権者：
三菱電機株式会社
三菱電機株式会社 について
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-001137
公開番号（公開出願番号）：特開2012-141267
出願日： 2011年01月06日
公開日（公表日）： 2012年07月26日
要約：
【課題】電気的特性を正確に検査できる半導体装置の電気的特性検査装置の電極構造およびそれを備えた半導体装置の電気的特性検査装置を提供する。【解決手段】半導体装置11の電気的特性検査装置10の電極構造1は、第1の電極部3を備えている。第1の電極部3の半導体装置11と接触する側の面3aに開口するように真空チャック用の通路6が形成されている。電極構造1は、さらに半導体装置11の一方表面11aと接触させることができるように通路6内に挿通され、半導体装置11の一方表面11aと接触させた状態で半導体装置11の一方表面11aと他方表面11bとの間の電圧を検出するための第2の電極部4と、第1および第2の電極部3,4のそれぞれの半導体装置11の一方表面11aと接触する面3a,4aの高さが互いに揃うように第1および第2の電極部3,4のそれぞれを固定する支持部5とを備えている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
一方表面と前記一方表面に対向する他方表面とを有し、前記一方表面と前記他方表面との間に電流を流すことができる半導体装置の電気的特性を検査するための電気的特性検査装置の電極構造であって、
前記半導体装置の前記一方表面と接触させるための第1の電極部を備え、
前記第1の電極部の前記半導体装置と接触する側の面に開口するように真空チャック用の通路が形成されており、さらに
前記半導体装置の前記一方表面と接触させることができるように前記通路内に挿通され、前記半導体装置の前記一方表面と接触させた状態で前記半導体装置の前記一方表面と前記他方表面との間の電圧を検出するための第2の電極部と、
前記第1および第2の電極部のそれぞれの前記半導体装置の前記一方表面と接触する面の高さが互いに揃うように前記第1および第2の電極部のそれぞれを固定する支持部とを備えた、半導体装置の電気的特性検査装置の電極構造。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
引用特許：
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