窒素化合物含有半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：吉武賢次 , 橘谷英俊 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康 , 高橋佳大
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-177151
公開番号（公開出願番号）：特開2006-005005
出願日： 2004年06月15日
公開日（公表日）： 2006年01月05日
要約：

【課題】シリコン基板上に形成された窒素化合物含有半導体層を含むヘテロ構造を備え、数百V以上の高耐圧を有する窒素化合物含有半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の実施の一形態に係る窒素化合物含有半導体装置は、シリコン基板と、シリコン基板上に島状に形成されたチャネル層としての第1の窒化アルミニウムガリウム(AlxGa1-xN(0≦x≦1))層と、第1の窒化アルミニウムガリウム層上に形成された第1導電型又はi型のバリア層としての第2の窒化アルミニウムガリウム(AlyGa1-yN(0≦y≦1,x<y))層と、を備えているものである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン基板と、前記シリコン基板上に島状に形成されたチャネル層としての第1の窒化アルミニウムガリウム(AlxGa1-xN(0≦x≦1))層と、前記第1の窒化アルミニウムガリウム層上に形成された第1導電型又はi型のバリア層としての第2の窒化アルミニウムガリウム(AlyGa1-yN(0≦y≦1,x<y))層と、を備えていることを特徴とする窒素化合物含有半導体装置。

IPC (10件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/28 , H01L 29/06 , H01L 29/778 , H01L 21/76 , H01L 27/095 , H01L 29/41 , H01L 29/872 , H01L 29/47

FI (8件)：

H01L29/80 Q , H01L21/28 301B , H01L29/06 301F , H01L29/80 H , H01L21/76 V , H01L29/80 E , H01L29/44 Y , H01L29/48 D

Fターム (43件)：

4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104FF10 , 4M104FF31 , 4M104GG03 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F032AA35 , 5F032AA40 , 5F032AA45 , 5F032AA46 , 5F032AA49 , 5F032CA05 , 5F032CA09 , 5F032CA16 , 5F032CA24 , 5F032DA04 , 5F032DA12 , 5F032DA23 , 5F032DA78 , 5F102FA01 , 5F102GA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM07 , 5F102GQ01 , 5F102GR06 , 5F102GS01 , 5F102GS08 , 5F102GT03 , 5F102GV03 , 5F102GV05 , 5F102HA20 , 5F102HC02

引用特許：

出願人引用 (6件)

半導体層の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-200259 出願人：三洋電機株式会社
特開平2-039573
特開平4-262577

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審査官引用 (5件)

窒化ガリウム系半導体装置を製造する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-054172 出願人：住友電気工業株式会社
半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-124234 出願人：サンケン電気株式会社
特開平4-262577

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