特許

J-GLOBAL ID：201203055299662560

薄膜トランジスタの半導体層用酸化物およびスパッタリングターゲット、並びに薄膜トランジスタ

発明者： 森田 晋也 ,  釘宮 敏洋 ,  前田 剛彰 ,  安野 聡 ,  寺尾 泰昭 ,  三木 綾
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所
代理人 (5件)： 植木 久一 ,  植木 久彦 ,  菅河 忠志 ,  伊藤 浩彰 ,  竹岡 明美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-008322
公開番号（公開出願番号）：特開2012-124446
出願日： 2011年01月18日
公開日（公表日）： 2012年06月28日
要約：

【課題】薄膜トランジスタの半導体層に酸化物半導体を用いたとき、薄膜トランジスタのスイッチング特性およびストレス耐性が良好な薄膜トランジスタの半導体層用酸化物を提供する。【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、薄膜トランジスタの半導体層に用いられる酸化物であって、前記酸化物は、In、Ga、およびZnよりなる群から選択される少なくとも一種の元素と;Al、Si、Ni、Ge、Sn、Hf、Ta、およびWよりなるX群から選択される少なくとも一種の元素と、を含んでいる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

薄膜トランジスタの半導体層に用いられる酸化物であって、 前記酸化物は、In、Ga、およびZnよりなる群から選択される少なくとも一種の元素と;Al、Si、Ni、Ge、Sn、Hf、Ta、およびWよりなるX群から選択される少なくとも一種の元素と、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの半導体層用酸化物。

IPC (15件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/363 ,  C01G 15/00 ,  C01G 19/00 ,  C01G 27/00 ,  C01G 35/00 ,  C01G 41/00 ,  C01G 53/00 ,  C01G 17/00 ,  C01B 33/12 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/08 ,  C23C 16/42 ,  C01G 39/00

FI (15件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L21/363 ,  C01G15/00 Z ,  C01G19/00 A ,  C01G27/00 ,  C01G35/00 C ,  C01G41/00 A ,  C01G53/00 A ,  C01G17/00 ,  C01B33/12 A ,  C23C14/34 A ,  C23C14/08 K ,  C23C16/42 ,  C01G39/00 Z

Fターム (91件)：

4G048AA03 ,  4G048AB01 ,  4G048AB05 ,  4G048AC08 ,  4G048AD02 ,  4G048AE05 ,  4G072AA38 ,  4G072BB09 ,  4G072HH14 ,  4G072JJ26 ,  4G072NN11 ,  4G072NN13 ,  4G072RR11 ,  4G072RR25 ,  4G072UU01 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA17 ,  4K029BA45 ,  4K029BA47 ,  4K029BA49 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC16 ,  4K029DC34 ,  4K029DC35 ,  4K029GA01 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030AA24 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030BB12 ,  4K030CA06 ,  4K030FA01 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103HH04 ,  5F103LL13 ,  5F103NN01 ,  5F103NN04 ,  5F103NN06 ,  5F103PP03 ,  5F103RR05 ,  5F110AA01 ,  5F110AA08 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK33 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ14

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 薄膜トランジスタとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-316402   出願人：凸版印刷株式会社
• 酸化物半導体を用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-102492   出願人：出光興産株式会社
• 金属相含有酸化インジウム焼結体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-193796   出願人：出光興産株式会社
• エッチング方法、パターン形成方法、薄膜トランジスタの製造方法及びエッチング液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-328204   出願人：キヤノン株式会社
• 薄膜トランジスタ、表示装置、および電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-122756   出願人：ソニー株式会社