金属相含有酸化インジウム焼結体及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：渡辺喜平 , 田中有子 , 佐藤猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-193796
公開番号（公開出願番号）：特開2010-030824
出願日： 2008年07月28日
公開日（公表日）： 2010年02月12日
要約：

【課題】スパッタ時のノジュールの発生を抑制できる酸化インジウムスパッタリングターゲット並びに酸化インジウム焼結体及びその製造方法を提供する。【解決手段】酸化インジウムスパッタリングターゲットを酸化インジウム相と金属相を有する酸化インジウム焼結体により構成する。また、インジウム化合物と金属微粒子を混合した粉末又はインジウム化合物と金属酸化物微粒子を混合した粉末を放電プラズマ焼結することにより、酸化インジウム相と金属相を有する酸化インジウム焼結体を製造する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

酸化インジウム相と金属相を有することを特徴とする酸化インジウム焼結体。

IPC (7件)：

C04B 35/00 , C23C 14/34 , C04B 35/64 , H01B 5/14 , H01L 21/285 , H01L 29/786 , G02F 1/134

FI (7件)：

C04B35/00 Z , C23C14/34 A , C04B35/64 E , H01B5/14 A , H01L21/285 S , H01L29/78 618B , G02F1/1343

Fターム (104件)：

2H092HA04 , 2H092JA26 , 2H092KB14 , 2H092MA05 , 2H092NA11 , 2H092NA29 , 4G030AA34 , 4G030AA39 , 4G030AA61 , 4G030CA01 , 4G030CA04 , 4G030GA23 , 4G030GA27 , 4K029BC09 , 4K029BD01 , 4K029CA06 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 4K029DC24 , 4K029EA08 , 4K029GA01 , 4M104AA01 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB36 , 4M104DD28 , 4M104DD40 , 4M104EE03 , 4M104EE05 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF13 , 4M104GG08 , 4M104GG09 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110BB09 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD07 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK08 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK41 , 5F110NN03 , 5F110NN12 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110QQ14 , 5G307FA01 , 5G307FA02 , 5G307FB01 , 5G307FC09

引用特許：

出願人引用 (5件)

陰極スパッタリングのためのスパッタ用ターゲットおよび該スパッタ用ターゲットの製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-050130 出願人：ライボルトマテリアルスゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
陰極スパッタ用ターゲットおよびかかるターゲットの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-213760 出願人：ヴエーツエーヘレーウスゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング
透明導電性薄膜製造用スパッタリングターゲットおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-178688 出願人：住友金属鉱山株式会社

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