特許
J-GLOBAL ID:201203055501408034

光デバイスウエーハの分割方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 松本 昂 ,  伊藤 憲二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-254533
公開番号(公開出願番号):特開2012-104780
出願日: 2010年11月15日
公開日(公表日): 2012年05月31日
要約:
【課題】光デバイスウエーハを効率良く個別デバイスに分割すると共に輝度の低下がない光デバイスウエーハの分割方法を提供する。【解決手段】サファイア基板の表面に複数の光デバイス19が分割予定ライン17によって区画されて形成された光デバイスウエーハ11を個別デバイスに分割する方法であって、ウエーハの表面に剛性を有するプレートを紫外線硬化型ボンド剤又はワックスを介して貼着する工程と、該貼着工程の前又は後に、ウエーハの表面又は裏面からサファイアに対して透過性を有する波長のレーザ光を分割予定ラインに対応するサファイア基板の内部に集光点を位置づけて照射し、分割予定ラインに対応する基板の内部に改質層23を形成する工程と、基板裏面を研削した後基板に外力を付与し、基板の内部に形成された改質層を分割起点として光デバイスウエーハを個々の光デバイスに分割すると共に、改質層が除去されるまでサファイア基板を薄く研削する。【選択図】図8
請求項(抜粋):
サファイア基板の表面に半導体層が積層され、該半導体層に複数の光デバイスが分割予定ラインによって区画されて形成された光デバイスウエーハを個々の光デバイスに分割する光デバイスウエーハの分割方法であって、 光デバイスウエーハの表面に剛性を有するプレートを紫外線の照射によって硬化するボンド剤又はワックスを介して貼着する剛性プレート貼着工程と、 該剛性プレート貼着工程の前又は後に、光デバイスウエーハの表面又は裏面から、サファイアに対して透過性を有する波長のレーザビームを分割予定ラインに対応するサファイア基板の内部に集光点を位置づけて照射し、分割予定ラインに対応するサファイア基板の内部に改質層を形成する改質層形成工程と、 該改質層形成工程を実施した後、サファイア基板の裏面を研削してサファイア基板に外力を付与し、分割予定ラインに対応するサファイア基板の内部に形成された改質層を分割起点として光デバイスウエーハを個々の光デバイスに分割するとともに、改質層が除去されるまでサファイア基板を薄く研削する裏面研削工程と、 を具備したことを特徴とする光デバイスウエーハの分割方法。
IPC (2件):
H01L 21/301 ,  H01L 21/304
FI (4件):
H01L21/78 Q ,  H01L21/78 B ,  H01L21/78 M ,  H01L21/304 631
Fターム (9件):
5F057BA21 ,  5F057BB12 ,  5F057CA14 ,  5F057CA31 ,  5F057DA11 ,  5F057DA22 ,  5F057FA15 ,  5F057FA22 ,  5F057FA28
引用特許:
審査官引用 (4件)
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