特許
J-GLOBAL ID：201203058482027287

磁気抵抗素子の製造方法及び製造装置

発明者：
山本 直志

山本 直志 について


出願人/特許権者：
株式会社アルバック

株式会社アルバック について


代理人 (2件)： 大森 純一 ,  折居 章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-085123
公開番号（公開出願番号）：特開2012-222093
出願日： 2011年04月07日
公開日（公表日）： 2012年11月12日
要約：
【課題】エッチングに用いられるハロゲン系成分による素子の腐食を防止することが可能な磁気抵抗素子の製造装置及び製造方法を提供すること【解決手段】本発明の磁気抵抗素子10の製造方法は、基板上に強磁性材料からなる第1の強磁性層13を形成する。酸化マグネシウムからなる絶縁層14は、第1の強磁性層13上に形成される。Fe及びCoの少なくとも一方を含有する第2の強磁性層15は、絶縁層14上に形成される。ハロゲン系元素を含むプラズマによるエッチングは、基板11上に第1の強磁性層13、絶縁層14及び第2の強磁性層15が積層された積層体に対して施される。積層体は、H2Oを含むプラズマであるH2Oプラズマに曝露される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に強磁性材料からなる第1の強磁性層を形成し、 前記第1の強磁性層上に、酸化マグネシウムからなる絶縁層を形成し、 前記絶縁層上に、Fe及びCoの少なくとも一方を含有する第2の強磁性層を形成し、 前記基板上に前記第1の強磁性層、前記絶縁層及び前記第2の強磁性層が積層された積層体に対して、ハロゲン系元素を含むプラズマによりエッチングを施し、 前記積層体をH2Oを含むプラズマであるH2Oプラズマに曝露させる 磁気抵抗素子の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 43/12 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/08 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  G11B 5/39
FI (5件)：
H01L43/12 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  G11B5/39
Fターム (39件)：
4M119AA06 ,  4M119AA19 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD07 ,  4M119DD09 ,  4M119DD17 ,  4M119JJ12 ,  5D034BA03 ,  5D034DA07 ,  5F092AA07 ,  5F092AA11 ,  5F092AB01 ,  5F092AB02 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB24 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB44 ,  5F092BB53 ,  5F092BB55 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC18 ,  5F092CA08 ,  5F092GA05
引用特許：
審査官引用 (3件)

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