半導体圧力センサ

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：三好秀和 , 伊藤正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-279314
公開番号（公開出願番号）：特開2012-127793
出願日： 2010年12月15日
公開日（公表日）： 2012年07月05日
要約：

【課題】ピエゾ抵抗素子で構成されるホイートストンブリッジ回路のオフセット電圧ならびにオフセットドリフトを改善することを課題とする。【解決手段】半導体基板13の一部が薄肉化されて受圧部となるダイヤフラム部12と、ダイヤフラム部12に形成された複数のピエゾ抵抗素子R1〜R4と、絶縁体薄膜層21を介して各ピエゾ抵抗素子R1〜R4上に形成された導電性のシールド薄膜層22とを有し、複数のピエゾ抵抗素子R1〜R4がホイートストンブリッジ回路を構成する半導体圧力センサ11において、ホイートストンブリッジ回路の高位電源Vddに接続された各ピエゾ抵抗素子R1,R3上に形成されたシールド薄膜層22は、互いに電気的に接続され、ホイートストンブリッジ回路の接地電位GNDに接続された各ピエゾ抵抗素子R2,R4上に形成されたシールド薄膜層22は、互いに電気的に接続されていることを特徴とする。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体基板の一部が薄肉化されて受圧部となるダイヤフラム部と、前記ダイヤフラム部に形成された複数のピエゾ抵抗素子と、絶縁体薄膜層を介して前記各ピエゾ抵抗素子上に形成された導電性のシールド薄膜層とを有し、前記複数のピエゾ抵抗素子がホイートストンブリッジ回路を構成する半導体圧力センサにおいて、前記ホイートストンブリッジ回路の高位電源に接続された各ピエゾ抵抗素子上に形成された前記シールド薄膜層は、互いに電気的に接続され、前記ホイートストンブリッジ回路の低位電源に接続された各ピエゾ抵抗素子上に形成された前記シールド薄膜層は、互いに電気的に接続されていることを特徴とする半導体圧力センサ。

IPC (2件)：

G01L 9/00 , H01L 29/84

FI (3件)：

G01L9/00 303Q , H01L29/84 B , H01L29/84 A

Fターム (18件)：

2F055BB20 , 2F055CC02 , 2F055DD05 , 2F055EE13 , 2F055FF11 , 2F055GG49 , 4M112AA01 , 4M112BA01 , 4M112CA01 , 4M112CA03 , 4M112CA04 , 4M112CA09 , 4M112CA11 , 4M112CA12 , 4M112CA13 , 4M112EA03 , 4M112EA04 , 4M112FA06

引用特許：

審査官引用 (6件)

歪検出センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-321793 出願人：株式会社日立製作所
加速度センサー
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-030161 出願人：トレックス・セミコンダクター株式会社
特公平2-041183

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