特許
J-GLOBAL ID：201203059456029251

圧電素子の製造方法、圧電素子、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置

発明者：
大橋 幸司

大橋 幸司 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (2件)： 栗原 浩之 ,  村中 克年
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-063388
公開番号（公開出願番号）：特開2012-199446
出願日： 2011年03月22日
公開日（公表日）： 2012年10月18日
要約：
【課題】圧電体層のクラックを抑制することができる圧電素子の製造方法、圧電素子、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置を提供する。【解決手段】絶縁体膜55上に設けられた第1電極60と、第1電極60上に設けられて、鉛、ジルコニウム及びチタンを含むペロブスカイト型構造を有する複合酸化物からなる圧電体層70と、圧電体層70の第1電極60とは反対側に設けられた第2電極と、を具備する圧電素子の製造方法であって、絶縁体膜55上に第1電極60を形成すると共にパターニングする工程と、絶縁体膜55上及び第1電極60上に亘って島状のランタンニッケル酸化物200を形成する工程と、絶縁体膜55上及び第1電極60上に亘って、圧電体前駆体膜を形成し、圧電体前駆体膜を焼成することで結晶化した圧電体膜を有する圧電体層70を形成する工程と、を具備する。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
絶縁体膜と、 該絶縁体膜上に設けられた第1電極と、 該第1電極上に設けられて、鉛、ジルコニウム及びチタンを含むペロブスカイト型構造を有する複合酸化物からなる圧電体層と、 該圧電体層の前記第1電極とは反対側に設けられた第2電極と、を具備する圧電素子の製造方法であって、 前記絶縁体膜上に前記第1電極を形成すると共にパターニングする工程と、 前記絶縁体膜上及び前記第1電極上に亘って島状のランタンニッケル酸化物を形成する工程と、 前記絶縁体膜上及び前記第1電極上に亘って、圧電体前駆体膜を形成し、該圧電体前駆体膜を焼成することで結晶化した圧電体膜を有する圧電体層を形成する工程と、を具備することを特徴とする圧電素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 41/22 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/24
FI (6件)：
H01L41/22 Z ,  H01L41/08 C ,  H01L41/08 J ,  H01L41/08 L ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/22 A
引用特許：
審査官引用 (4件)
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