特許
J-GLOBAL ID:200903076540735591
反射防止膜材料、これを用いた反射防止膜及びパターン形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
奥山 尚一
, 有原 幸一
, 松島 鉄男
, 河村 英文
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-158639
公開番号(公開出願番号):特開2005-015779
出願日: 2004年05月28日
公開日(公表日): 2005年01月20日
要約:
【課題】 レジストに対してエッチング選択比が高い、即ちレジストに対してエッチングスピードが速い反射防止膜の材料を提供し、且つこの反射防止膜材料を用いて基板上に反射防止膜層を形成するパターン形成方法及び、この反射防止膜を基盤加工のハードマスクとして用いるパターン形成方法も提供する。【解決手段】 炭素-酸素単結合及び/又は炭素-酸素二重結合を有する有機基と、光吸収基と、末端がSi-OH及び/又はSi-ORになっているケイ素原子とを含んでなる反射防止用シリコーン樹脂を提供する。また、この(A)反射防止用シリコーン樹脂と、(B)有機溶剤と、(C)酸発生剤とを含有する反射防止膜材料を提供する。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
炭素-酸素単結合及び/又は炭素-酸素二重結合を有する有機基と、光吸収基と、末端がSi-OH及び/又はSi-ORになっているケイ素原子とを含んでなる反射防止用シリコーン樹脂。
IPC (3件):
C08G77/14
, G03F7/11
, H01L21/027
FI (3件):
C08G77/14
, G03F7/11 503
, H01L21/30 574
Fターム (43件):
2H025AA00
, 2H025AA17
, 2H025AB16
, 2H025AD01
, 2H025AD03
, 2H025DA34
, 2H025FA35
, 2H025FA41
, 4J246AA03
, 4J246BA12X
, 4J246BA120
, 4J246BA31
, 4J246BB02X
, 4J246BB020
, 4J246CA12E
, 4J246CA12X
, 4J246CA120
, 4J246CA13E
, 4J246CA13X
, 4J246CA130
, 4J246CA330
, 4J246CA390
, 4J246CA40X
, 4J246CA400
, 4J246CA53X
, 4J246CA530
, 4J246CA54X
, 4J246CA540
, 4J246CA56X
, 4J246CA560
, 4J246CA630
, 4J246CA64X
, 4J246CA640
, 4J246CA67X
, 4J246CA68X
, 4J246CA680
, 4J246CA69X
, 4J246CA690
, 4J246CB10
, 4J246FA57
, 4J246HA11
, 4J246HA15
, 5F046PA07
引用特許:
出願人引用 (23件)
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リソグラフィー用下地材
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-244050
出願人:東京応化工業株式会社
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特開平57-131250号公報
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特開昭56-129261号公報
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審査官引用 (8件)
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