半導体単結晶基板の欠陥観察方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (4件)：青木篤 , 鶴田準一 , 島田哲郎 , 南山知広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-189627
公開番号（公開出願番号）：特開2012-049312
出願日： 2010年08月26日
公開日（公表日）： 2012年03月08日
要約：

【課題】不純物濃度の高い半導体単結晶基板の欠陥を電子線誘起電流法によって測定を可能とする方法を提供する。【解決手段】半導体単結晶基板2上に観察層1をエピタキシャル成長させ、その上にショットキー電極層3を設けることによって作成した観察試料に電子線を照射して発生した誘起電流を検出するに当たって、観察層1の層厚を電子線の飛程以下とし、且つ、ショットキー電極層3、観察層1、半導体単結晶基板2の仕事関数をφm、φs1、φs2とし、観察層1、半導体単結晶基板2の電子親和力をχs1、χs2とし、観察層1、半導体単結晶基板2のバンドギャップをEg1、Eg2とするとき、半導体単結晶基板2がn型である場合、φm>φs1>φs2、且つ、Eg1≦Eg2+χs2-χs1+(φs1-φs2)の関係が成立するように、観察層1の材料及び不純物濃度を選択する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体単結晶基板上に観察層をエピタキシャル成長させ、当該観察層上にショットキー電極層を設けることによって観察試料を作成し、前記観察試料に電子線を照射して発生した誘起電流を検出する、半導体単結晶基板の欠陥観察方法において、前記観察層の層厚を電子線の飛程以下とし、さらに、前記ショットキー電極層の仕事関数φm、前記観測層の仕事関数φs1、前記半導体単結晶基板の仕事関数φs2間に、前記半導体単結晶基板がn型である場合、 φm>φs1>φs2 の関係が成立し、p型である場合、 φm<φs1<φs2 の関係が成立し、且つ、前記観察層の仕事関数φs1、前記半導体単結晶基板の仕事関数φs2、前記観測層の電子親和力χs1、前記観測層のエネルギーバンドギャップEg1、前記半導体単結晶基板の電子親和力χs2、前記半導体単結晶基板のエネルギーバンドギャップEg2間に、前記半導体単結晶基板がn型である場合、 Eg1≦Eg2+χs2-χs1+(φs1-φs2) の関係が成立し、p型である場合、 Eg1≧Eg2+χs2-χs1+(φs1-φs2) の関係が成立する様に、前記観察層の材料及び不純物濃度を選択することを特徴とする、半導体単結晶基板の欠陥観察方法。

IPC (1件)：

H01L 21/66

FI (1件)：

H01L21/66 N

Fターム (3件)：

4M106AA01 , 4M106BA02 , 4M106CB19

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開昭51-132087
炭化珪素半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-148566 出願人：財団法人電力中央研究所
増大した少数キャリアライフタイムを有する炭化珪素結晶を製造するプロセス
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-548202 出願人：クリーインコーポレイテッド

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審査官引用 (1件)

特開昭51-132087

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