特許

J-GLOBAL ID：200903081400566599

増大した少数キャリアライフタイムを有する炭化珪素結晶を製造するプロセス

発明者： カーター,カルヴィン・エイチ,ジュニア ,  ジェニー,ジェイソン・ロナルド ,  マルタ,デイヴィッド・フィリップ ,  ホブグッド,ハドソン・マクドナルド ,  ツヴェトコフ,ヴァレリー・エフ ,  ダス,ムリナル・ケイ
出願人/特許権者： クリー インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 奥山 尚一 ,  有原 幸一 ,  松島 鉄男
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-548202
公開番号（公開出願番号）：特表2008-525298
出願日： 2005年10月07日
公開日（公表日）： 2008年07月17日
要約：

増大した少数キャリアライフタイムを有する炭化珪素を製造するプロセスが記載されている。このプロセスは、第1の濃度の少数キャリア再結合中心を有する炭化珪素結晶を、少数キャリア再結合中心の得られた濃度が第1の濃度よりも低くなるように、加熱し、次いで、緩慢に冷却するステップを含む。【選択図】 図1B

請求項（抜粋）：

増大した少数キャリアライフタイムを有する炭化珪素結晶を製造するプロセスにおいて、 第1の少数キャリアライフタイムをもたらす第1の濃度の少数キャリア再結合中心を有する炭化珪素結晶を加熱する加熱ステップと、 前記加熱ステップの後に、前記加熱された炭化珪素結晶を、前記第1の濃度よりも低い第2の濃度の少数キャリア再結合中心を有する炭化珪素結晶をもたらすのに充分に緩慢な速度で冷却し、これによって、増大した少数キャリアライフタイムを有する材料をもたらす、冷却ステップと、 を含むことを特徴とするプロセス。

IPC (4件)：

C30B 29/36 ,  C30B 33/02 ,  H01L 29/861 ,  H01L 21/324

FI (5件)：

C30B29/36 A ,  C30B33/02 ,  H01L29/91 F ,  H01L21/324 X ,  H01L29/91 J

Fターム (9件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BE08 ,  4G077FE11 ,  4G077FE12 ,  4G077FE13 ,  4G077HA05 ,  4G077HA12

引用特許：

審査官引用 (3件)

• CVDによって目的物をエピタキシアル成長させる装置と方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-504350   出願人：エービービーリサーチリミテッド, オクメティックリミテッド
• ダミーウェーハの清浄度評価方法及び洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-232378   出願人：松下電子工業株式会社
• 高温圧縮炭化ケイ素ウェハー及びダミーウェハーとしてのその使用方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平10-538602   出願人：サン-ゴバンインダストリアルセラミックス,インコーポレイティド

引用文献：

審査官引用 (3件)

• The minority carrier lifetime of n-type 4H- and 6H-SiC epitaxial layers
• Influence of annealing on the diffusion length of the minority carriers in n-type SiC(6H)
• Influence of annealing on the diffusion length of the minority carriers in n-type SiC(6H)