特許
J-GLOBAL ID：201203062288481411

逆伝導半導体装置

発明者：
コプタ、アルノスト

コプタ、アルノスト について

, 
ラヒモ、ムナフ

ラヒモ、ムナフ について


出願人/特許権者：
アーベーベー・テヒノロギー・アーゲー

アーベーベー・テヒノロギー・アーゲー について


代理人 (9件)： 蔵田 昌俊 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  砂川 克
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-533758
公開番号（公開出願番号）：特表2012-507842
出願日： 2009年11月04日
公開日（公表日）： 2012年03月29日
要約：
共通のウェハ(100)上にフリーホイーリングダイオードおよび絶縁ゲートバイポーラトランジスタを具備する逆伝導半導体装置(200)が、提供される。そのウェハ(100)の一部は、ベース層厚さ(102)を備えたベース層(101)を形成する。絶縁ゲートバイポーラトランジスタは、コレクタ側面(103)およびエミッタ側面(104)を具備する。コレクタ側面(103)は、ウェハ(100)のエミッタ側面(104)の反対側に配置される。第1の導電型の第1の層(1)および第2の導電型の第2の層(2)は、コレクタ側面(103)上に交互に配置される。第1の層(1)は、第1の領域幅(11)を備えた少なくとも1つの第1の領域(10)および第1のパイロット領域幅(13)を備えた少なくとも1つの第1のパイロット領域(12)を具備する。第2の層(2)は、第2の領域幅(21)を備えた少なくとも1つの第2の領域(20)および第2のパイロット領域幅(23)を備えた少なくとも1つの第2のパイロット領域(22)を具備する。RC-IGBTは、次の幾何学的な規則が満たされるように設計されている。各第2の領域幅(21)は、ベース層厚さ(102)と等しいまたはより大きい。各第1の領域幅(11)は、ベース層厚さ(102)より小さい。各第2のパイロット領域幅(23)は、各第1のパイロット領域幅(13)より大きい。各第1のパイロット領域幅は、ベース層厚さ(102)の2倍と等しいまたはより大きい。第2のパイロット領域(22)のエリアの合計は、第1のパイロット領域(12)のエリアの合計より大きい。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
共通のウェハ(100)上にフリーホイーリングダイオードおよび絶縁ゲートバイポーラトランジスタを具備する逆伝導半導体装置(200)であって、 完成した逆伝導半導体装置(200)に修正されていないドーピングを有している、そのウェハの一部(100)は、ベース層(101)を形成し、 前記絶縁ゲートバイポーラトランジスタは、コレクタ側面(103)およびエミッタ側面(104)を具備し、 前記コレクタ側面(103)は、前記ウェハ(100)の前記エミッタ側面(104)の反対側に配置され、 前記ベース層(101)は、最大厚さとして定義されるベース層厚さ(102)を有し、 前記ベース層(101)は、前記コレクタ側面(103)および前記エミッタ側面(104)の間にあり、 第1の導電型の第1の層(1)および第2の導電型の第2の層(2)は、前記コレクタ側面(103)上に交互に配置され、 前記第1の層(1)は、少なくとも1つの第1の領域(10)を具備し、 各第1の領域(10)は、第1の領域境界によって囲まれ、第1の領域幅(11)および少なくとも1つの第1のパイロット領域(12)を有し、 各第1のパイロット領域(12)は、第1のパイロット領域境界によって囲まれ、第1のパイロット領域幅(13)を有し、 前記第2の層(2)は、少なくとも1つの第2の領域(20)および少なくとも1つの第2のパイロット領域(22)を具備し、 各第2の領域(20)は、第2の領域境界によって囲まれ、第2の領域幅(21)を有し、 各第2のパイロット領域(22)は、第2のパイロット領域境界によって囲まれ、第2のパイロット領域幅(23)を有し、 各領域または層幅は、前記領域または層内の任意の点と前記領域または層境界上の点との間の最短距離の最大値の2倍として定義され、 前記第2の層(2)は、全体の基板上に同じ構造を持たず、 各第1の領域幅(11)は、前記ベース層厚さ(102)より小さく、
IPC (6件)：
H01L 27/04 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/739 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/06
FI (7件)：
H01L29/78 657D ,  H01L29/78 655D ,  H01L29/78 653C ,  H01L29/78 652M ,  H01L29/78 652J ,  H01L27/08 102E ,  H01L27/06 102A
Fターム (14件)：
5F048AC06 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB09 ,  5F048BB19 ,  5F048BC01 ,  5F048BC03 ,  5F048BC05 ,  5F048BC12 ,  5F048BD07 ,  5F048BF07 ,  5F048BF16 ,  5F048CB07
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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