特許
J-GLOBAL ID：200903051240645300

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ及びその製造方法、並びに、インバータ回路

発明者：
高橋 英樹

高橋 英樹 について

, 
青野 眞司

青野 眞司 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (3件)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-021294
公開番号（公開出願番号）：特開2005-057235
出願日： 2004年01月29日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：
【課題】IGBTとフリーホイールダイオードとを1チップ内に形成しても、IGBT及びダイオードの両電気的特性(ON電圧)を良好なものに制御する。【解決手段】フリーホイールダイオード内蔵型IGBTにおいて、研磨後のウエハ厚みDを200μm以下とし、カソードN+層8の厚みT8及びP+コレクタ層9の厚みT9を共に2μm以下に設定する。更に、幅方向Xに関するカソードN+層8及びP+コレクタ層9の幅の和を、50μm以上200μm以下の範囲内に設定する。この場合、界面IF中、P+コレクタ層9とコレクタ電極10との界面IF2が占める割合は、30%〜80%の範囲内の値となる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
第1主面及び第2主面を有する第1導電型の半導体基板と、 前記半導体基板の前記第1主面側に形成されており、しかも、前記第1主面より前記半導体基板の内部に向けて形成された第2導電型のベース領域内に、そのオン動作時に前記第1導電型のチャネルを有する絶縁ゲート型トランジスタと、 前記第1主面上に形成されており且つ前記第1主面において前記絶縁ゲート型トランジスタの前記ベース領域と接触する第1主電極と、 前記半導体基板の前記第2主面上に形成されており且つ前記絶縁ゲート型トランジスタに対向する前記第1導電型の第1半導体層と、 前記半導体基板の前記第2主面上に形成されており且つ前記絶縁ゲート型トランジスタに対向する前記第2導電型の第2半導体層と、 前記第1半導体層上及び前記第2半導体層上に形成された第2主電極とを備えており、 前記第2主電極と、前記第1半導体層及び前記第2半導体層との界面は、前記第1主面と平行であり、 前記第1主面と前記界面との間の厚みは200μm以下であり、 前記第1半導体層及び前記第2半導体層の各々の厚みは共に2μm以下であることを特徴とする、 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ。
IPC (2件)：
H01L29/78 ,  H01L21/336
FI (5件)：
H01L29/78 655D ,  H01L29/78 652G ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 657A ,  H01L29/78 658A
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (12件)
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