パッケージキャリアおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：杉村憲司 , 大倉昭人 , 石川雅章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-126262
公開番号（公開出願番号）：特開2012-151431
出願日： 2011年06月06日
公開日（公表日）： 2012年08月09日
要約：

【課題】熱発生素子を積載するのに適した良好な散熱効果を備えるパッケージキャリアを提供し、さらにパッケージキャリアの製造方法を提供する。【解決手段】パッケージキャリアの製造方法において、第1金属層110と、互いに対向する頂面および底面を有する第2金属層120と、第1および第2金属層間の絶縁層130を含む基板が提供される。第2金属層120が第1金属層110より大きな厚さを有する。第1金属層110および絶縁層130を貫通するとともに、第2金属層120の頂面の一部分を露出させる第1開口S1が形成される。第1金属層110がパターン化されてパターン化導電層110’を形成する。第2開口S2が第2金属層120の底面124に形成される。第2金属層120が第1開口S1に連通しない第2開口S2によって複数の熱伝導ブロック120’に分割される。【選択図】図1E

請求項（抜粋）：

第1金属層、第2金属層および前記第1金属層ならびに前記第2金属層間に配置される絶縁層を有する基板を提供するステップであって、前記第2金属層の厚さが前記第1金属層の厚さよりも大きく、かつ前記第2金属層が頂面および前記頂面に対向する底面を有する、ステップと、前記第1金属層および前記絶縁層を貫通して第1開口を形成するステップであって、前記第1開口が前記第2金属層の前記頂面の一部分を露出させる、ステップと、前記第1金属層をパターン化してパターン化導電層を形成するステップと、前記第2金属層の前記底面に複数の第2開口を形成するステップであって、前記第2金属層が前記第2開口によって複数の熱伝導ブロックに分割されるとともに、前記第2開口が前記第1開口に連通していない、ステップと、前記パターン化導電層上に表面保護層を形成するステップであって、前記第2金属層の前記頂面の前記一部分が前記第1開口によって露出される、ステップと、を含むパッケージキャリアの製造方法。

IPC (1件)：

H01L 23/12

FI (2件)：

H01L23/12 F , H01L23/12 J

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平3-244146
半導体装置および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-080738 出願人：株式会社日立製作所
ハイブリッドICの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-145077 出願人：沖電気工業株式会社

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