磁気抵抗素子及び磁気メモリ

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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：勝沼宏仁 , 佐藤泰和 , 川崎康 , 関根毅 , 赤岡明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-208058
公開番号（公開出願番号）：特開2012-064776
出願日： 2010年09月16日
公開日（公表日）： 2012年03月29日
要約：

【課題】垂直磁気異方性を有し、かつより大きな磁気抵抗効果を発現することが可能な磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する第1強磁性層2と、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する第2強磁性層10と、第1強磁性層と第2強磁性層との間に設けられた非磁性層6と、第1強磁性層と非磁性層との間に設けられた第1界面磁性層4と、第2強磁性層と非磁性層との間に設けられた第2界面磁性層8と、を備え、第1界面磁性層は、第1強磁性層側に設けられた第1界面磁性膜4aと、非磁性層側に設けられ第1界面磁性膜と組成が異なる第2界面磁性膜4cと、第1界面磁性膜と第2界面磁性膜との間に設けられた第1非磁性膜4bとを備え、第1強磁性層と第2強磁性層との間に非磁性層を通して電流を流すことにより、第1強磁性層および第2強磁性層の一方の磁化方向が可変となる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する第1強磁性層と、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する第2強磁性層と、前記第1強磁性層と前記第2強磁性層との間に設けられた非磁性層と、前記第1強磁性層と前記非磁性層との間に設けられた第1界面磁性層と、前記第2強磁性層と前記非磁性層との間に設けられた第2界面磁性層と、を備え、前記第1界面磁性層は、前記第1強磁性層側に設けられた第1界面磁性膜と、前記非磁性層側に設けられ前記第1界面磁性膜と組成が異なる第2界面磁性膜と、前記第1界面磁性膜と前記第2界面磁性膜との間に設けられた第1非磁性膜とを備え、前記第1強磁性層と前記第2強磁性層との間に前記非磁性層を通して電流を流すことにより、前記第1強磁性層および前記第2強磁性層の一方の磁化方向が可変となることを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (5件)：

H01L 27/105 , H01L 21/824 , H01L 43/08 , G11B 5/39 , H01L 29/82

FI (5件)：

H01L27/10 447 , H01L43/08 M , H01L43/08 Z , G11B5/39 , H01L29/82 Z

Fターム (42件)：

4M119AA15 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD17 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119EE22 , 4M119EE27 , 5D034BA03 , 5D034BA15 , 5D034BA21 , 5D034CA08 , 5F092AA02 , 5F092AA08 , 5F092AB02 , 5F092AB08 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB24 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB44 , 5F092BC03 , 5F092BC04 , 5F092BC12 , 5F092BC13 , 5F092BE04 , 5F092BE06 , 5F092BE12 , 5F092BE13 , 5F092BE14 , 5F092BE21 , 5F092BE24

引用特許：

審査官引用 (4件)

磁気抵抗素子及び磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-250287 出願人：株式会社東芝
磁気メモリ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-202344 出願人：三星電子株式会社
磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-248251 出願人：株式会社東芝

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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