特許
J-GLOBAL ID：201203063672290786

塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法

発明者：
安立 由香子

安立 由香子 について

, 
市川 幸司

市川 幸司 について


出願人/特許権者：
住友化学株式会社

住友化学株式会社 について


代理人 (1件)： 新樹グローバル・アイピー特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-134832
公開番号（公開出願番号）：特開2012-031145
出願日： 2011年06月17日
公開日（公表日）： 2012年02月16日
要約：
【課題】レジストパターン形成時の露光マージン(EL)及びマスクエラーファクター(MEF)に優れる塩、この塩を含む酸発生剤、この酸発生剤を含むレジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】式(I)で表される塩、これを含む酸発生剤、この酸発生剤を含むレジスト組成物。[式中、R1は、置換基を有していてもよい飽和炭化水素基又は芳香族炭化水素基;R2〜R9は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルキル基又はアルコキシ基;R10及びR11は、それぞれ独立に、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基;L1は、単結合又は2価の飽和炭化水素基;Yは、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよい飽和環状炭化水素基を表す。]【選択図】なし
請求項（抜粋）：
式(I)で表される塩。
IPC (7件)：
C07C 309/17 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  C09K 3/00 ,  C07D 279/36 ,  C07D 233/60
FI (7件)：
C07C309/17 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R ,  C09K3/00 K ,  C07D279/36 ,  C07D233/60 104
Fターム (30件)：
2H125AF16P ,  2H125AF18P ,  2H125AF38P ,  2H125AF70P ,  2H125AH12 ,  2H125AH17 ,  2H125AH19 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ67X ,  2H125AJ69X ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN45P ,  2H125AN54P ,  2H125AN65P ,  2H125BA02P ,  2H125BA26P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  2H125FA03 ,  4C036AA02 ,  4C036AA16 ,  4C036AA17 ,  4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB76 ,  4H006AB80
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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