特許

J-GLOBAL ID：201203065334627077

半導体装置の作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  佐藤 裕平 ,  佐藤 恵司 ,  丸山 哲紀 ,  肥塚 純一
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-051330
公開番号（公開出願番号）：特開2012-209546
出願日： 2012年03月08日
公開日（公表日）： 2012年10月25日
要約：

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタの作製工程において、酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行い、その後、酸化物半導体膜及び酸化物半導体膜上に設けられた酸化アルミニウム膜に対して熱処理を行うことで、化学量論的組成比を超える酸素を含む領域を有する酸化物半導体膜を形成する。該酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、バイアス-熱ストレス試験(BT試験)前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減されており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸化シリコン膜を形成する工程と、 前記酸化シリコン膜に接する酸化物半導体膜を形成する工程と、 前記酸化物半導体膜上に酸化アルミニウム膜を形成する工程と、 前記酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行い、前記酸化物半導体膜に酸素を供給して前記酸化物半導体膜に化学量論的組成比より酸素が多い領域を形成する工程と、 前記酸素を供給した酸化物半導体膜及び前記酸化アルミニウム膜に対して熱処理を行う工程と、を含む半導体装置の作製方法。

IPC (13件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/788 ,  G02F 1/136 ,  G09F 9/30 ,  G09F 9/00 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/10

FI (13件)：

H01L29/78 618F ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 619A ,  H01L27/10 321 ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 338 ,  G09F9/00 338 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z ,  H05B33/10

Fターム (159件)：

2H092GA51 ,  2H092GA59 ,  2H092GA60 ,  2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA36 ,  2H092JB61 ,  2H092KA03 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA08 ,  2H092KA10 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA08 ,  2H092MA10 ,  2H092MA13 ,  2H092MA27 ,  2H092NA24 ,  3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107CC21 ,  3K107EE04 ,  3K107FF17 ,  3K107GG28 ,  5C094AA21 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094FB14 ,  5C094FB20 ,  5C094GB10 ,  5C094HA08 ,  5C094JA20 ,  5F083AD02 ,  5F083AD21 ,  5F083AD69 ,  5F083EP02 ,  5F083EP21 ,  5F083ER21 ,  5F083GA11 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA19 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083JA58 ,  5F083JA60 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40 ,  5F101BA17 ,  5F101BB01 ,  5F101BD12 ,  5F101BD30 ,  5F101BD39 ,  5F101BE07 ,  5F101BH16 ,  5F110AA14 ,  5F110BB02 ,  5F110BB05 ,  5F110BB10 ,  5F110BB11 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF31 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110NN74 ,  5F110PP02 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19 ,  5G435AA16 ,  5G435BB05 ,  5G435BB12 ,  5G435HH13 ,  5G435HH20 ,  5G435KK05 ,  5G435LL04 ,  5G435LL07 ,  5G435LL08

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-215560   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-251914   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜トランジスタおよび表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-174469   出願人：ソニー株式会社
• トランジスタ素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-045016   出願人：大日本印刷株式会社
• 薄膜トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-239783   出願人：ソニー株式会社