特許
J-GLOBAL ID：201003015914365469

薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者：
徳永 和彦

徳永 和彦 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (4件)： 藤島 洋一郎 ,  三反崎 泰司 ,  長谷部 政男 ,  田名網 孝昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-239783
公開番号（公開出願番号）：特開2010-073894
出願日： 2008年09月18日
公開日（公表日）： 2010年04月02日
要約：
【課題】チャネル層の保護と、TFT特性の回復の双方を同時に実現することが可能な保護膜を備えた薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】チャネル層13のうちチャネル領域13Aとなる部分(露出面13B)が、チャネル層13に接する酸素透過膜14Aと、酸素障害膜14Bとをチャネル層13側から順に含む保護膜14によって覆われている。保護膜14の長さLは、ドレイン電極15およびソース電極16の幅W1に0.55をかけた値と等しいか、またはそれよりも長くなっている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
導電性の酸化物半導体を主成分とするチャネル層と、 前記チャネル層上に形成されると共に前記チャネル層の面内方向において所定の間隙を介して対向する一対の電極と、 前記チャネル層のうち前記一対の電極の間隙に露出する露出面を覆う保護膜と を備え、 前記保護膜は、少なくとも、前記チャネル層に接する酸素透過膜と、前記酸素透過膜よりも酸素を通し難い酸素障害膜とを前記チャネル層側から順に含み、 前記酸素障害膜のうち前記一対の電極の対向方向の長さが、前記一対の電極のうち当該一対の電極の対向方向と直交する方向の幅に0.55をかけた値と等しいか、またはそれよりも長い薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (3件)：
H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627F
Fターム (25件)：
5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE25 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG34 ,  5F110HK04 ,  5F110HK42 ,  5F110HM05 ,  5F110NN13 ,  5F110NN14 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN28
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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