化学増幅型レジスト組成物、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及び、フォトマスク、並びに、高分子化合物

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：高松猛 , 尾澤俊之 , 木村伸也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-255302
公開番号（公開出願番号）：特開2012-163946
出願日： 2011年11月22日
公開日（公表日）： 2012年08月30日
要約：

【課題】電子線又は極紫外線を用いたフォトマスク・半導体素子の微細加工における技術課題を解決することであり、特に、高感度、高解像性(例えば、高い解像力、優れたパターン形状、小さいラインエッジラフネス(LER))、及び、良好なドライエッチング耐性を同時に満足する化学増幅型レジスト組成物、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及び、フォトマスク、並びに、高分子化合物を提供する。【解決手段】(A)非酸分解性の多環脂環炭化水素構造を有する基で、フェノール性水酸基の水素原子が置換された構造を有する高分子化合物、及び(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する、化学増幅型レジスト組成物。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(A)非酸分解性の多環脂環炭化水素構造を有する基で、フェノール性水酸基の水素原子が置換された構造を有する高分子化合物、及び(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、を含有する、化学増幅型レジスト組成物。

IPC (5件)：

G03F 7/038 , G03F 7/004 , G03F 7/039 , C08F 212/14 , H01L 21/027

FI (6件)：

G03F7/038 601 , G03F7/004 503A , G03F7/039 601 , G03F7/004 501 , C08F212/14 , H01L21/30 502R

Fターム (82件)：

2H125AE02P , 2H125AE03P , 2H125AE04P , 2H125AF17P , 2H125AF18P , 2H125AF34P , 2H125AF36P , 2H125AF38P , 2H125AF45P , 2H125AF52P , 2H125AF70P , 2H125AH05 , 2H125AH06 , 2H125AH13 , 2H125AH19 , 2H125AH22 , 2H125AH23 , 2H125AH29 , 2H125AJ04X , 2H125AJ14Y , 2H125AJ45X , 2H125AJ45Y , 2H125AJ47X , 2H125AJ48X , 2H125AJ48Y , 2H125AJ65Y , 2H125AL03 , 2H125AL11 , 2H125AM10P , 2H125AM12P , 2H125AM15P , 2H125AM16P , 2H125AM66P , 2H125AN02P , 2H125AN08P , 2H125AN38P , 2H125AN39P , 2H125AN42P , 2H125AN45P , 2H125AN54P , 2H125AN57P , 2H125AN61P , 2H125AN63P , 2H125AN67P , 2H125AN86P , 2H125BA01P , 2H125BA02P , 2H125BA26P , 2H125BA32P , 2H125CA12 , 2H125CB12 , 2H125CB16 , 2H125CC01 , 2H125CC03 , 2H125CC15 , 2H125CC17 , 2H125CD09P , 2H125CD37 , 2H125CD38 , 4J100AB07P , 4J100AB07Q , 4J100AB07R , 4J100AB07S , 4J100BA03Q , 4J100BA05P , 4J100BA05Q , 4J100BA15P , 4J100BA20P , 4J100BA55P , 4J100BA55S , 4J100BA56S , 4J100BB18S , 4J100BC04P , 4J100BC08P , 4J100BC09P , 4J100BC48R , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100CA06 , 4J100DA01 , 4J100DA04 , 4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (4件)

ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-015215 出願人：富士写真フイルム株式会社
電子線又はX線レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-244077 出願人：富士写真フイルム株式会社
ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-089540 出願人：富士フイルム株式会社

全件表示

前のページに戻る