特許
J-GLOBAL ID：200903020906827049

ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法

発明者：
水谷 一良

水谷 一良 について

, 
平野 修史

平野 修史 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (2件)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-089540
公開番号（公開出願番号）：特開2008-249889
出願日： 2007年03月29日
公開日（公表日）： 2008年10月16日
要約：
【課題】反射防止膜を用いずに高反射基板をそのまま用いたとしても、高解像性、LWR、露光マージン、パターン形状、定在波の低減性能を同時に満足するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法の提供。【解決手段】下記一般式(D1)〜(D3)で表される構造が結合した樹脂、または、式(D1)〜(D3)で表される構造を有する化合物を含有するポジ型レジスト組成物、およびそれを用いたパターン形成方法。式中、各記号は所定の原子または基を表す。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、 (B)酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂、及び、 (C)下記一般式(D1)〜(D3)のいずれかで表される構造を有する化合物、 を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (5件)：
G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  H01L 21/027 ,  C08F 212/14 ,  C08F 220/10
FI (5件)：
G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  H01L21/30 502R ,  C08F212/14 ,  C08F220/10
Fターム (34件)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BF15 ,  2H025BG00 ,  2H025FA10 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AB07P ,  4J100AB07Q ,  4J100AB07R ,  4J100AL03R ,  4J100AL08R ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA10R ,  4J100BA12R ,  4J100BA51R ,  4J100BC04Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC53Q ,  4J100BC83R ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (5件)
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