配線構造、表示装置、および半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：植木久一 , 植木久彦 , 菅河忠志 , 伊藤浩彰 , 竹岡明美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-078282
公開番号（公開出願番号）：特開2012-212811
出願日： 2011年03月31日
公開日（公表日）： 2012年11月01日
要約：

【課題】Cu合金層と半導体層との間に通常設けられるバリアメタル層を省略しても優れた低接触抵抗を発揮し得、さらに半導体層との密着性に優れており、且つ電気抵抗率が低減された配線構造を提供すること。【解決手段】本発明の配線構造は、基板の上に、基板側から順に、半導体層と、Cu合金層とを備えた配線構造であって、前記Cu合金層は、基板側から順に、合金成分としてMnと、X(Xは、Ag、Au、C、W、Ca、Mg、Al、SnおよびNiよりなる群から選択される少なくとも一種)を含有する第一層と、純Cu、またはCuを主成分とするCu合金であって前記第一層よりも電気抵抗率の低いCu合金からなる第二層、とを含む積層構造である。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

基板の上に、基板側から順に、半導体層と、Cu合金層とを備えた配線構造であって、前記Cu合金層は、基板側から順に、合金成分としてMnと、X(Xは、Ag、Au、C、W、Ca、Mg、Al、Sn、およびNiよりなる群から選択される少なくとも一種)を含有するCu-Mn-X合金層(第一層)と、純Cu、またはCuを主成分とするCu合金であって前記第一層よりも電気抵抗率の低いCu合金からなる層(第二層)と、を含む積層構造であることを特徴とする配線構造。

IPC (6件)：

H01L 21/320 , H01L 23/532 , H01L 21/768 , H01L 21/28 , H01L 29/786 , G02F 1/134

FI (9件)：

H01L21/88 M , H01L21/28 301R , H01L21/88 R , H01L21/90 C , H01L21/28 A , H01L29/78 612C , H01L29/78 616U , H01L29/78 616V , G02F1/1343

Fターム (102件)：

2H092JA23 , 2H092JA40 , 2H092JA44 , 2H092JB24 , 2H092JB33 , 2H092KA03 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092KB04 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA13 , 2H092MA28 , 2H092NA18 , 2H092NA28 , 4M104AA01 , 4M104AA09 , 4M104BB04 , 4M104BB19 , 4M104BB36 , 4M104BB38 , 4M104CC01 , 4M104DD26 , 4M104DD28 , 4M104DD78 , 4M104DD84 , 4M104FF16 , 4M104FF19 , 4M104GG09 , 4M104HH04 , 4M104HH08 , 5F033GG04 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH25 , 5F033HH31 , 5F033HH32 , 5F033HH35 , 5F033HH36 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033JJ25 , 5F033JJ31 , 5F033JJ32 , 5F033JJ35 , 5F033JJ36 , 5F033KK01 , 5F033KK05 , 5F033LL09 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033NN03 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ61 , 5F033QQ63 , 5F033QQ64 , 5F033QQ70 , 5F033QQ73 , 5F033QQ89 , 5F033QQ90 , 5F033VV15 , 5F033WW02 , 5F033XX13 , 5F033XX28 , 5F110AA03 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE09 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110HJ01 , 5F110HJ02 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HJ30 , 5F110HK09 , 5F110HK25 , 5F110HK35 , 5F110HL01 , 5F110HL06 , 5F110HL08 , 5F110HL12 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110NN35 , 5F110NN62 , 5F110NN66 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (4件)

配線構造及び配線構造の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-269195 出願人：日立電線株式会社
配線構造およびその製造方法、並びに配線構造を備えた表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-168596 出願人：株式会社神戸製鋼所
配線構造、薄膜トランジスタ基板およびその製造方法、並びに表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-158769 出願人：株式会社神戸製鋼所

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