配線構造、薄膜トランジスタ基板およびその製造方法、並びに表示装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：植木久一 , 菅河忠志 , 伊藤浩彰 , 植木久彦 , 竹岡明美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-158769
公開番号（公開出願番号）：特開2010-245495
出願日： 2009年07月03日
公開日（公表日）： 2010年10月28日
要約：

【課題】純CuまたはCu合金のCu系合金配線と半導体層との間のバリアメタル層を省略することが可能なダイレクトコンタクト技術であって、幅広いプロセスマージンの範囲においてCu系合金配線を半導体層に直接かつ確実に接続することができる技術を提供する。【解決手段】本発明の配線構造は、基板の上に、基板側から順に、半導体層と、純CuまたはCu合金のCu系合金膜とを備えた配線構造であって、前記半導体層と前記Cu系合金膜との間に、基板側から順に、窒素、炭素、フッ素、および酸素よりなる群から選択される少なくとも一種の元素を含有する(N、C、F、O)層と、CuおよびSiを含むCu-Si拡散層との積層構造を含んでおり、且つ、前記(N、C、F、O)層を構成する窒素、炭素、フッ素、および酸素のいずれかの元素は、前記半導体層のSiと結合している。【選択図】図1A

請求項（抜粋）：

基板の上に、基板側から順に、半導体層と、純CuまたはCu合金のCu系合金膜とを備えた配線構造であって、前記半導体層と前記Cu系合金膜との間に、基板側から順に、窒素、炭素、フッ素、および酸素よりなる群から選択される少なくとも一種の元素を含有する(N、C、F、O)層と、CuおよびSiを含むCu-Si拡散層との積層構造を含んでおり、且つ、前記(N、C、F、O)層を構成する窒素、炭素、フッ素、および酸素のいずれかの元素は、前記半導体層のSiと結合していることを特徴とする配線構造。

IPC (7件)：

H01L 21/28 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 21/320 , H01L 23/52 , H01L 21/768

FI (7件)：

H01L21/28 301R , H01L29/78 616V , H01L29/78 616U , H01L29/78 616K , H01L29/78 301X , H01L21/88 M , H01L21/90 C

Fターム (106件)：

4M104AA01 , 4M104AA09 , 4M104BB04 , 4M104BB19 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD29 , 4M104DD37 , 4M104DD78 , 4M104DD84 , 4M104DD86 , 4M104DD88 , 4M104EE02 , 4M104EE14 , 4M104EE17 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH04 , 5F033GG03 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH25 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033JJ25 , 5F033KK01 , 5F033MM05 , 5F033NN06 , 5F033PP15 , 5F033QQ00 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033QQ58 , 5F033QQ61 , 5F033QQ63 , 5F033QQ64 , 5F033QQ70 , 5F033QQ73 , 5F033QQ89 , 5F033QQ90 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033SS11 , 5F033SS25 , 5F033VV15 , 5F033XX28 , 5F110AA03 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE06 , 5F110EE44 , 5F110FF03 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG45 , 5F110HJ02 , 5F110HJ13 , 5F110HJ18 , 5F110HK01 , 5F110HK05 , 5F110HK06 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK18 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK25 , 5F110HK26 , 5F110HK33 , 5F110HK39 , 5F110HK41 , 5F110HK42 , 5F140AA10 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BG28 , 5F140BG38 , 5F140BJ10 , 5F140BJ11 , 5F140BJ16 , 5F140BJ18 , 5F140BJ28 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK28 , 5F140BK29 , 5F140BK34 , 5F140BK37 , 5F140BK38 , 5F140CB01 , 5F140CC12 , 5F140CE07

引用特許：

審査官引用 (6件)

薄膜半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-241738 出願人：株式会社アドバンスト・ディスプレイ
薄膜トランジスタの製造方法およびこれを用いた液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-086291 出願人：三菱電機株式会社
薄膜トランジスタ基板、および表示デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-265810 出願人：株式会社神戸製鋼所

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