特許
J-GLOBAL ID：201003010496884673

配線構造及び配線構造の製造方法

発明者：
辰巳 憲之

辰巳 憲之 について

, 
外木 達也

外木 達也 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


代理人 (7件)： 平田 忠雄 ,  角田 賢二 ,  岩永 勇二 ,  中村 恵子 ,  遠藤 和光 ,  野見山 孝 ,  今 智司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-269195
公開番号（公開出願番号）：特開2010-098195
出願日： 2008年10月17日
公開日（公表日）： 2010年04月30日
要約：
【課題】シリコンへのオーミック接合が得られると共に、シリコン中への元素の拡散を抑制できる配線構造及び配線構造の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る配線構造1aは、シリコン層10と、シリコン層10上に設けられ、マンガン(Mn)が添加された銅合金からなる下地層20と、下地層20上に設けられる銅層30とを備え、シリコン層10と下地層20との界面を含む領域でMnが濃化することにより、電気導電性を有する拡散バリア層25が形成される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリコン層と、 前記シリコン層上に設けられ、マンガン(Mn)が添加された銅合金からなる下地層と、 前記下地層上に設けられる銅層と を備え、 前記シリコン層と前記下地層との界面を含む領域で前記Mnが濃化することにより、電気導電性を有する拡散バリア層が形成される配線構造。
IPC (3件)：
H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/28
FI (2件)：
H01L21/90 D ,  H01L21/28 301R
Fターム (36件)：
4M104AA01 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB04 ,  4M104BB36 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104DD37 ,  4M104DD40 ,  4M104DD79 ,  4M104DD83 ,  4M104DD88 ,  4M104FF18 ,  4M104GG20 ,  4M104HH04 ,  4M104HH15 ,  5F033GG04 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ31 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033KK05 ,  5F033KK06 ,  5F033LL02 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ80 ,  5F033QQ85 ,  5F033VV15 ,  5F033WW03 ,  5F033XX09 ,  5F033XX28 ,  5F033XX34
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

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