特許
J-GLOBAL ID：201203072201681644

GaNバッファ層におけるドーパント拡散変調

発明者：
ビーチ,ロバート

ビーチ,ロバート について

, 
ザオ,ガング,ユアン

ザオ,ガング,ユアン について


出願人/特許権者：
エフィシエント パワー コンヴァーション コーポレーション

エフィシエント パワー コンヴァーション コーポレーション について


代理人 (3件)： 伊東 忠彦 ,  大貫 進介 ,  伊東 忠重
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-504808
公開番号（公開出願番号）：特表2012-523702
出願日： 2010年04月07日
公開日（公表日）： 2012年10月04日
要約：
半導体結晶、及びそれを形成する方法を提供する。当該方法は、ドーパント及びIII族元素を含有するガスのフローを供給し、その後、ドーパント及びIII族元素を含有するガスのフローを停止し、温度を低下させ、III族元素を含有するガスのフローを再開し、そして、温度を上昇させることを含む。
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上の一組の遷移層と、 前記一組の遷移層上の、変調され且つ低下された密度でドーパント原子を含有するIII-N化合物と、 を有する半導体結晶。
IPC (4件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01L29/80 H ,  H01L21/205
Fターム (36件)：
5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA06 ,  5F045DA53 ,  5F045DA57 ,  5F045DA59 ,  5F045EE12 ,  5F045EE17 ,  5F045EK27 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR07 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102GT05 ,  5F102GT06 ,  5F102GT07
引用特許：
審査官引用 (6件)
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