III族窒化物電子デバイス、III族窒化物電子デバイスのための積層体ウエハ、およびIII族窒化物電子デバイスを作製する方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：長谷川芳樹 , 寺崎史朗 , 柴田昌聰 , 近藤伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-182438
公開番号（公開出願番号）：特開2009-021362
出願日： 2007年07月11日
公開日（公表日）： 2009年01月29日
要約：

【課題】絶縁破壊電圧を向上可能なIII族窒化物電子デバイスを提供する。【解決手段】III族窒化物電子デバイス31、41、51は、半絶縁性III族窒化物基板32と、基板32上に設けられたIII族窒化物積層体34とを備える。積層体34は、半絶縁性III族窒化物エピタキシャル層35、36を含む。積層体34は、半絶縁性III族窒化物エピタキシャル層35、36と基板32との間に設けられた窒化ガリウム系半導体層37を含む。界面33は、窒化ガリウム系半導体層37と基板32とにより形成される。窒化ガリウム系半導体層37は、シリコン濃度のピーク値の1/10以上である濃度のFe、Mg、Cの少なくともいずれかを含む。このIII族窒化物電子デバイス31によれば、窒化ガリウム系半導体層37に含まれるFe、Mg、Cが、界面にパイルアップしたシリコンからキャリアを低減する。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

III族窒化物電子デバイスであって、半絶縁性III族窒化物基板と、前記半絶縁性III族窒化物基板上に設けられたIII族窒化物積層体とを備え、前記III族窒化物積層体は、一または複数の半絶縁性III族窒化物エピタキシャル層を含み、前記半絶縁性III族窒化物基板と前記III族窒化物積層体との界面におけるシリコン濃度のプロファイルのピーク値が、1×1020cm-3未満であり、前記半絶縁性III族窒化物基板と前記III族窒化物積層体との界面におけるキャリア密度が、5×1016cm-3以下である、ことを特徴とするIII族窒化物電子デバイス。

IPC (4件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01L29/80 H , H01L21/205

Fターム (25件)：

5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AD13 , 5F045AE25 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045BB06 , 5F045BB16 , 5F045CA07 , 5F045DA53 , 5F045HA04 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102HC01 , 5F102HC21

引用特許：

出願人引用 (1件)

III族窒化物半導体素子およびエピタキシャル基板
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-019473 出願人：住友電気工業株式会社

審査官引用 (6件)

電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-225299 出願人：株式会社東芝
電子デバイスおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-301534 出願人：住友電気工業株式会社
電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-224499 出願人：株式会社日立製作所

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