半導体発光素子

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-227835
公開番号（公開出願番号）：特開平11-068252
出願日： 1997年08月25日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】第一、第二コンタクト層という2つのコンタクト層を用いつつ、活性層にMgを拡散させることなく、コンタクト抵抗を低減し、さらに第二コンタクト層内のホール濃度を最大限に高めた半導体素子を提供することを目的とする。【解決手段】 p-GaN第一コンタクト層10と第一コンタクト層よりも活性層側に存在するp-GaN第二コンタクト層9という2つのコンタクト層を有するGaN半導体発光素子において、第一コンタクト層の膜厚を0.1μm以上1.0μm以下とする。これにより、第一コンタクト層が十分な膜厚を有することになり、第一コンタクト層から第二コンタクト層へのアクセプター不純物の拡散を容易に行うことができる。

請求項（抜粋）：

0.1μm以上1.0μm以下の膜厚を有するとともにp電極と接触する第一コンタクト層と、前記第一コンタクト層と接するとともに前記第一コンタクト層より活性層側に形成された第二コンタクト層とを有する半導体発光素子であって、前記第一コンタクト層に前記第二コンタクト層よりも高濃度にアクセプター不純物がドーピングされていることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

3族窒化物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-338114 出願人：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-157219 出願人：日亜化学工業株式会社
3族窒化物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-252896 出願人：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所

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