酸化物半導体薄膜の製造方法および酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタ、並びに薄膜トランジスタを備えた装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：柳田征史 , 佐久間剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-187883
公開番号（公開出願番号）：特開2012-049211
出願日： 2010年08月25日
公開日（公表日）： 2012年03月08日
要約：

【課題】300°C以上の高温での熱処理することなく、再現性が高く、大面積デバイス、特にフレキシブルデバイス作製に適したIGZO系酸化物薄膜を製造する。【解決手段】In,Ga,Zn,Oを主たる構成元素とし、組成比が11/20≦Ga/(In+Ga+Zn)≦9/10、且つ3/4≦Ga/(In+Ga)≦9/10、且つZn/(In+Ga+Zn)≦1/3を満たす酸化物半導体薄膜をスパッタリング法により、アルアゴンガス雰囲気下で酸素ガスを導入することなく成膜し、成膜された酸化物半導体薄膜に対して、酸化性雰囲気中で100°C以上、300°C未満の熱処理を施す。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

In,Ga,Zn,Oを主たる構成元素とし、組成比が11/20≦Ga/(In+Ga+Zn)≦9/10、且つ3/4≦Ga/(In+Ga)≦9/10、且つZn/(In+Ga+Zn)≦1/3を満たす酸化物半導体薄膜を、スパッタリング法により、アルゴンガス雰囲気下で酸素ガスを導入することなく成膜する成膜工程と、前記酸化物半導体薄膜に対して、酸化性雰囲気中で100°C以上、300°C未満の熱処理を施す熱処理工程とを含むことを特徴とする酸化物半導体薄膜の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/203 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 27/146 , H01L 27/14 , G02F 1/136 , H01L 31/09

FI (9件)：

H01L21/203 S , H01L29/78 618A , H01L29/78 618B , H01L29/78 627F , H01L29/78 626C , H01L27/14 C , H01L27/14 K , G02F1/1368 , H01L31/00 A

Fターム (95件)：

2H092JA25 , 2H092JA26 , 2H092JA28 , 2H092JA34 , 2H092KA05 , 2H092KA08 , 2H092NA24 , 2H092NA27 , 2H092PA01 , 2H092PA08 , 2H092PA11 , 2H092PA13 , 4M118AA06 , 4M118AB01 , 4M118BA05 , 4M118CA14 , 4M118CB05 , 4M118EA20 , 4M118FB03 , 4M118FB09 , 4M118FB13 , 4M118FB16 , 4M118FB23 , 4M118GA10 , 4M118HA27 , 5F088AB01 , 5F088EA04 , 5F088EA08 , 5F088FA02 , 5F088LA08 , 5F103AA08 , 5F103BB22 , 5F103DD30 , 5F103GG03 , 5F103HH04 , 5F103LL13 , 5F103NN05 , 5F103PP03 , 5F103RR01 , 5F103RR04 , 5F110AA17 , 5F110AA28 , 5F110BB01 , 5F110BB04 , 5F110BB10 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE14 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG43 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK35 , 5F110NN16 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110QQ14

引用特許：

審査官引用 (5件)

アモルファス酸化物及び電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-143431 出願人：キヤノン株式会社
非晶質酸化物膜及び半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-073480 出願人：キヤノン株式会社
酸化物トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-130149 出願人：株式会社ブリヂストン

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