特許
J-GLOBAL ID：200903025723586230

アモルファス酸化物及び電界効果型トランジスタ

発明者：
板垣 奈穂

板垣 奈穂 について

, 
岩崎 達哉

岩崎 達哉 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (2件)： 西山 恵三 ,  内尾 裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-143431
公開番号（公開出願番号）：特開2008-300518
出願日： 2007年05月30日
公開日（公表日）： 2008年12月11日
要約：
【課題】 電界効果移動度やS値などのトランジスタ特性に優れ、且つ対環境安定性に優れた電界効果トランジスタを提供する。 さらには、構成原子の原子組成比率に依るトランジスタ特性の変化が少ない、原子組成比率のマージン(設計自由度)の大きな電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 電界効果型トランジスタであって、 前記電界効果型トランジスタの活性層がInと、Znと、Nと、Oと、を含むアモルファス酸化物からなり、前記アモルファス酸化物中の前記Nの前記NとOに対する原子組成比率が0.01原子%以上3原子%以下であり、かつ、前記酸化物はGaを含まないか、Gaを含む場合には、前記酸化物に含まれるNの原子数よりも少なくする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
アモルファス酸化物であって、 Inと、Znと、Nと、Oと、を含み、 前記アモルファス酸化物中の前記Nの前記NとOに対する原子組成比率が0.01原子%以上3原子%以下であり、かつ、 前記酸化物は、Gaを含まないか、Gaを含む場合には、前記アモルファス酸化物に含まれるNの原子数よりも少ないことを特徴とするアモルファス酸化物。
IPC (1件)：
H01L 29/786
FI (1件)：
H01L29/78 618B
Fターム (32件)：
5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG15 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ14
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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