特許
J-GLOBAL ID：201003057180125777

薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた電界発光装置

発明者：
松永 淳

松永 淳 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-289980
公開番号（公開出願番号）：特開2010-103451
出願日： 2008年11月12日
公開日（公表日）： 2010年05月06日
要約：
【課題】本発明の目的は、移動度が高く、高ON/OFF比を示す薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いて高階調な電界発光装置を提供することである。【解決手段】基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層が、室温から温度の低下と伴に電子キャリア濃度が減少する傾向を有し、その活性化エネルギーが0.04eV以上0.10eV以下である非晶質酸化物を含有することを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ、およびそれを用いた電界発光装置。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層が、室温から温度の低下と伴にキャリア濃度が減少し、その活性化エネルギーが0.04eV以上0.10eV以下である非晶質酸化物を含有することを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/363 ,  H01L 51/50
FI (4件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L21/363 ,  H05B33/14 A
Fターム (65件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC02 ,  3K107CC11 ,  3K107CC24 ,  3K107DD17 ,  3K107EE03 ,  3K107FF04 ,  3K107FF14 ,  3K107HH04 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103GG03 ,  5F103HH04 ,  5F103LL13 ,  5F103NN03 ,  5F103NN05 ,  5F103RR05 ,  5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD11 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG51 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN73
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 発光装置及び表示装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-325367   出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
審査官引用 (4件)
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