波長変換半導体発光装置及びフィルタを含む光源

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：津軽進 , 笛田秀仙
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-524503
公開番号（公開出願番号）：特表2012-501090
出願日： 2009年08月25日
公開日（公表日）： 2012年01月12日
要約：

半導体発光装置34は、n型領域とp型領域の間に配置される発光層を含む半導体発光装置を含む。前記発光層は第1ピーク波長を有する第1光を発するように適合される。第1波長変換材料38は、前記第1光を吸収し、第2ピーク波長を有する第2光を発するように適合される。第2波長変換材料36は、前記第1光又は前記第2光を吸収し、第3ピーク波長を有する第3光を発するように適合される。フィルタ40は、第4ピーク波長を有する第4光を反射する。前記第4光は、前記第2光の一部又は前記第3光の一部である。当該フィルタは、前記第4波長より長い又は短いピーク波長を有する光を透過させるように適合される。当該フィルタは、前記第1、第2、及び第3光の少なくとも一部の経路における前記発光装置にわたり配置される。

請求項（抜粋）：

n型領域とp型領域の間に配置される発光層を含む半導体発光装置であって、前記発光層は第1ピーク波長を有する第1光を発するように適合される、半導体発光装置と、前記第1光を吸収し、第2ピーク波長を有する第2光を発するように適合される第1波長変換材料、及び、前記第1光及び前記第2光のうちの1つを吸収し、第3ピーク波長を有する第3光を発するように適合される第2波長変換材料、であって、前記半導体発光装置によって発される光の経路に配置される、前記第1及び第2波長変換材料と、第4ピーク波長を有する第4光を反射し、前記第4波長より長い又は短いピーク波長を有する光を透過させるように適合されるフィルタであって、前記第4光が、前記第2光の一部及び前記第3光の一部のうちの1つを含み、当該フィルタが前記第1、第2、及び第3光の少なくとも一部の経路に配置される、フィルタと、を含む構造。

IPC (1件)：

H01L 33/50

FI (1件)：

H01L33/00 410

Fターム (19件)：

5F041AA11 , 5F041AA12 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA13 , 5F041CA40 , 5F041CA74 , 5F041CA77 , 5F041CB14 , 5F041CB15 , 5F041DA03 , 5F041DA42 , 5F041DA45 , 5F041DA57 , 5F041DA58 , 5F041EE17 , 5F041EE22 , 5F041EE25 , 5F041FF11

引用特許：

審査官引用 (6件)

液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-266023 出願人：カシオ計算機株式会社
放射放出オプトエレクトロニクス素子
公報種別：公表公報出願番号：特願2008-532593 出願人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
照明装置及び液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-421373 出願人：セイコーインスツル株式会社

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