特許

J-GLOBAL ID：200903098750899310

発光装置用の発光セラミック

発明者： ミュラー,ゲルト,オー ,  ミュラー-マッハ,レジーナ,ベー ,  クラメス,ミヒャエル,エル ,  シュミット,ペーテル,ヨット ,  ベヒテル,ヘルムート ,  メイヤー,イェルク ,  デ グラーフ,ヤン ,  コップ,テオ アルノルド
出願人/特許権者： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
代理人 (4件)： 伊東 忠彦 ,  大貫 進介 ,  伊東 忠重 ,  松本 晃一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-514277
公開番号（公開出願番号）：特表2008-502131
出願日： 2005年05月25日
公開日（公表日）： 2008年01月24日
要約：

n-型領域とp-型領域の間に設置された発光層を有する半導体発光装置は、発光層によって放射される光の光路に設置されたセラミック層と一体化される。セラミック層は、蛍光体のような波長変換材料で構成され、あるいはそのような材料を有する。本発明の実施例による発光セラミック層は、従来の蛍光体層よりも頑丈で、温度に対する感度が低い。また、発光セラミック層は、散乱が少ないため、従来の蛍光体層を超える高い変換効率が得られる。

請求項（抜粋）：

n-型領域とp-型領域の間に設置された発光層を有する半導体発光装置、および 前記発光層によって放射される光の光路に設置された第1のセラミック層、 を有する構造であって、 前記第1のセラミック層は、波長変換材料を有する構造。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 N

Fターム (11件)：

5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041CA12 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09 ,  5F041EE11 ,  5F041EE17 ,  5F041EE22 ,  5F041EE25

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 米国特許第6,351,069号
  
• 米国特許第6,630,691号
  
• 米国特許第6,696,703号
  
• 米国特許第6,576,448号
  

審査官引用 (5件)

• LEDおよび発光変換体を有する光源、および発光変換体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-362194   出願人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
• 発光半導体チップ組立体及び発光半導体リードフレーム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-332882   出願人：サンケン電気株式会社
• 発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-192406   出願人：日本酸素株式会社
• 発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-191476   出願人：スタンレー電気株式会社
• 半導体製造装置用静電チャックおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-366152   出願人：東芝セラミックス株式会社