特許

J-GLOBAL ID：201203072437288196

質量分析用基板

発明者： 溝口 大剛 ,  室内 聖人 ,  田村 祐介
出願人/特許権者： 大日本塗料株式会社
代理人 (4件)： 佐々木 一也 ,  成瀬 勝夫 ,  中村 智廣 ,  佐野 英一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-001812
公開番号（公開出願番号）：特開2012-145351
出願日： 2011年01月07日
公開日（公表日）： 2012年08月02日
要約：

【課題】レーザー脱離イオン化質量分析(LDI-MS)法において、高い分解能で十分なS/N比を得ることができ、数fmolより低い極微量でも精度良く試料の質量分析を行うことができる質量分析用基板を提供する。【解決手段】導電性を有する基材とこの基材の表面に設けられた試料保持用の測定スポットとを有し、レーザー脱離イオン化質量分析において分析試料を測定スポットに付着させて使用する質量分析用基板であり、測定スポットが金属酸化物とレーザー照射によりプロトン及び/又はカチオンを供給するイオン供給性有機物質とを含むと共に、スポット高さが1〜100μmであることにその特徴を有する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

導電性を有する基材とこの基材の表面に設けられた試料保持用の測定スポットとを有し、レーザー脱離イオン化質量分析において分析試料を前記測定スポットに付着させて使用する質量分析用基板であり、 前記測定スポットは、金属酸化物とレーザー照射によりプロトン及び/又はカチオンを供給するイオン供給性有機物質とを含むと共に、そのスポット高さが1〜100μmであることを特徴とする質量分析用基板。

IPC (1件)：

G01N 27/62

FI (1件)：

G01N27/62 F

Fターム (11件)：

2G041CA01 ,  2G041DA03 ,  2G041EA01 ,  2G041FA10 ,  2G041GA02 ,  2G041GA03 ,  2G041GA05 ,  2G041GA06 ,  2G041GA08 ,  2G041JA06 ,  2G041LA08

引用特許：

審査官引用 (4件)

• LDIプレート、レーザー脱離イオン化質量分析装置、レーザー脱離イオン化質量分析方法及びLDIプレート製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-036658   出願人：国立大学法人東京大学, 学校法人関西大学
• レーザー脱離/イオン化質量分析用試料ホルダーおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-165821   出願人：三星電子株式会社
• 質量分析用基板及びその製造方法並びに質量分析法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-332164   出願人：大日本塗料株式会社, 学校法人関西大学
• レーザー脱離イオン化質量分析用サンプルプレート
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-136311   出願人：イビデン株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 「ナノ構造を利用した表面支援レーザー脱離イオン化質量分析法」