特許
J-GLOBAL ID：201203075246030970
光電変換素子
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-274235
公開番号（公開出願番号）：特開2012-142568
出願日： 2011年12月15日
公開日（公表日）： 2012年07月26日
要約：
【課題】変換効率の高い光電変換素子を提供する。【解決手段】受光面の側に微細周期構造を有する光電変換素子の、他方の面が反射する光の進行方向に着眼した。そして、他方の面に光を反射する凹凸構造を設けて、受光面の側から他方の面の側に向かって進行してきた光を、光電変換層に沿って進行する成分が増えるように反射する構成とすればよい。反射光が光電変換層の内部を進行する距離が長くなることで、光電変換素子に入射した光が光電変換層に吸収され易くなり、また受光面の側から放出され難くなり、依って変換効率の高い光電変換素子を提供することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
光電変換層と、
前記光電変換層の受光面の側に微細周期構造と、
前記光電変換層の他方の面の側にマイクロテクスチャ構造と、
前記マイクロテクスチャ構造に接する反射電極と、を有し、
前記微細周期構造は、アスペクト比が3以上15以下の微細構造物を、60nm以上500nm以下の周期で備え、
前記マイクロテクスチャ構造は、アスペクト比が0.5以上3以下の構造物を、2μm以上100μm以下の周期で備え、
前記反射電極は反射率が10%以上100%未満である光電変換素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
5F151AA02
, 5F151CA03
, 5F151CB12
, 5F151CB22
, 5F151DA03
, 5F151EA18
, 5F151FA04
, 5F151FA06
, 5F151FA23
, 5F151GA04
, 5F151GA15
