特許
J-GLOBAL ID：201203075585403858
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
, 佐々木 眞人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-136115
公開番号（公開出願番号）：特開2012-004218
出願日： 2010年06月15日
公開日（公表日）： 2012年01月05日
要約：
【課題】高い放熱性と絶縁性との両方を確保する、半導体チップが樹脂などの絶縁材料でモールドされた半導体装置を提供する。【解決手段】主表面を有する半導体チップ2と、半導体チップ2が載置される積層構造と、積層構造が載置される冷却体5とを備えている。上記積層構造は、冷却体5に固定された第1の熱伝導体23と、第1の熱伝導体23上に配置される絶縁物22と、絶縁物22上に配置され、半導体チップ2が載置される第2の熱伝導体21とを有している。上記半導体チップ2の、積層構造と接触する主表面と反対側の主表面上は、絶縁材料3で封止されている。上記第1の熱伝導体23の少なくとも一部の領域は、平面視において絶縁材料3の外側に突出している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
主表面を有する半導体チップと、
前記半導体チップが載置される積層構造と、
前記積層構造が載置される冷却体とを備えており、
前記積層構造は、前記冷却体に固定された第1の熱伝導体と、前記第1の熱伝導体上に配置される絶縁物と、前記絶縁物上に配置され、前記半導体チップが載置される第2の熱伝導体とを有しており、
前記半導体チップの、前記積層構造と接触する主表面と反対側の主表面上は、絶縁材料で封止されており、
前記第1の熱伝導体の少なくとも一部の領域は、平面視において前記絶縁材料の外側に突出している、半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5F136CB06
, 5F136CB21
, 5F136DA07
, 5F136EA04
, 5F136FA02
, 5F136FA03
, 5F136FA52
