特許
J-GLOBAL ID：200903052429065432
SiC単結晶基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
奥田 誠司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-295589
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064392
出願日： 2003年08月19日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：
【課題】表面が平滑なSiC基板を製造する方法を提供する。【解決手段】本発明のSiC単結晶基板の製造方法は、鏡面研磨が施された表面を有するSiC単結晶基板10を用意する工程(a)と、SiC単結晶基板10の表面をプラズマにより酸化し、酸化層12をSiC単結晶基板の表面に形成する工程(b)と、酸化層12の少なくとも一部を反応性イオンエッチングにより除去する工程(c)とを包含し、好ましくは、工程(b)および(c)を繰り返すことによって表面を平滑にする。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
鏡面研磨が施された表面を有するSiC単結晶基板を用意する工程(a)と、
前記SiC単結晶基板の表面をプラズマにより酸化し、酸化層を前記SiC単結晶基板の表面に形成する工程(b)と、
前記酸化層の少なくとも一部を反応性イオンエッチングにより除去する工程(c)と、
を包含するSiC単結晶基板の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
5F004AA11
, 5F004BA04
, 5F004BD03
, 5F004CA02
, 5F004CA03
, 5F004DA01
, 5F004DA23
, 5F004DA26
, 5F004DB13
, 5F004FA08
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (2件)
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