特許
J-GLOBAL ID:201203076120057003
インプリント方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高岡 亮一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-224819
公開番号(公開出願番号):特開2012-079969
出願日: 2010年10月04日
公開日(公表日): 2012年04月19日
要約:
【課題】インプリント装置のマスクと基板との間隙に、短時間で、マスク付近のガスを減少させる性質を有する気体を満たすことできるようにする。【解決手段】基板上に樹脂を塗布する工程と、前記樹脂が塗布された基板を基板ステージによって、マスク直下のパターンのショット位置に移動させる工程と、前記樹脂を塗布した位置から前記ショット位置までの移動経路上で前記基板上に、少なくとも、前記樹脂に対して高可溶性または高拡散性のいずれか一方の性質を有する気体を供給する工程とを有し、前記樹脂が塗布された基板のショット領域が前記気体の供給位置を通過する前から前記気体の供給を開始するインプリント方法を提供する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板上に塗布された樹脂と、パターンを有するマスクとを接触させて、前記パターンを前記基板に転写するインプリント方法であって、
前記基板上に前記樹脂を塗布する工程と、前記樹脂が塗布された基板を基板ステージによって、前記マスク直下のパターンのショット位置に移動させる工程と、前記樹脂を塗布した位置から前記ショット位置までの移動経路上で前記樹脂が塗布された基板上に、少なくとも、前記樹脂に対して高可溶性または高拡散性のいずれか一方の性質を有する気体を供給する工程とを有し、前記樹脂が塗布された基板のショット領域が前記気体の供給位置を通過する前から前記気体の供給を開始することを特徴とするインプリント方法。
IPC (4件):
H01L 21/027
, G11B 5/84
, G11B 5/855
, B29C 59/02
FI (4件):
H01L21/30 502D
, G11B5/84 Z
, G11B5/855
, B29C59/02 Z
Fターム (15件):
4F209AF01
, 4F209AG05
, 4F209AH33
, 4F209AH73
, 4F209PA02
, 4F209PB01
, 4F209PH02
, 4F209PH30
, 4F209PJ06
, 4F209PN06
, 4F209PN09
, 4F209PQ11
, 5D112GA00
, 5F046AA28
, 5F146AA28
引用特許:
審査官引用 (6件)
-
インプリントリソグラフィ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2008-211243
出願人:エーエスエムエルネザーランズビー.ブイ.
-
単一位相流体インプリント・リソグラフィ法
公報種別:公表公報
出願番号:特願2006-533980
出願人:モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド, ボード・オブ・リージエンツ,ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム
-
光学的に走査可能な情報担体を製造する方法
公報種別:公表公報
出願番号:特願2002-518463
出願人:コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
-
加工装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2008-248068
出願人:キヤノン株式会社
-
ナノインプリント方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2008-110641
出願人:株式会社東芝
-
特許第4185941号
全件表示
前のページに戻る