特許
J-GLOBAL ID:200903058569420877

単一位相流体インプリント・リソグラフィ法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 山川 政樹 ,  山川 茂樹
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-533980
公開番号(公開出願番号):特表2007-509769
出願日: 2004年09月24日
公開日(公表日): 2007年04月19日
要約:
本発明は、基板上に付着した粘性液体層に存在するガス・ポケットを大幅に減少させることによって、インプリンティング層におけるパターン歪みを軽減する方法を対象とする。そのため、この方法には、粘性液体に近接した位置にあるガスの輸送を変更するステップが含まれている。すなわち、パターンが記録されることになる基板に近接した大気が、付着している粘性液体に対して、溶解性が高いか、拡散性が高いか、あるいは、その両方であるガスで飽和させられる。大気の飽和に加えて、又は、その代わりに、大気圧を低下させることも可能である。【選択図】図2
請求項(抜粋):
基板に付着した粘性液体層に存在するガスを減少させるための方法であって、 前記粘性液体中における前記ガスの輸送を増すために、前記粘性液体に近接したガスの組成を変更するステップを含む方法。
IPC (3件):
B29C 59/02 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/20
FI (3件):
B29C59/02 Z ,  H01L21/30 502D ,  G03F7/20 501
Fターム (20件):
2H097AA20 ,  2H097LA10 ,  2H097LA15 ,  2H097LA20 ,  4F209AA36 ,  4F209AC05 ,  4F209AF01 ,  4F209AG05 ,  4F209AG21 ,  4F209AG28 ,  4F209AM25 ,  4F209AM30 ,  4F209PA02 ,  4F209PB01 ,  4F209PC01 ,  4F209PC05 ,  4F209PN09 ,  4F209PN13 ,  5F046AA28 ,  5F046DA27
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • 米国特許第6,334,960号明細書
  • 米国特許第5,772,905号明細書
審査官引用 (15件)
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引用文献:
審査官引用 (2件)
  • 光ナノインプリントリソグラフィによるナノ加工
  • 光ナノインプリントリソグラフィによるナノ加工

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