炭化珪素装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：尾身祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-266312
公開番号（公開出願番号）：特開2009-094433
出願日： 2007年10月12日
公開日（公表日）： 2009年04月30日
要約：

【課題】炭化珪素基板との密着性がよく、ショットキーバリアハイトのばらつきが小さいとともに逆方向電圧印加時のリーク電流が少ない炭化珪素ショットキーバリアダイオードを実現することを課題とする。【解決手段】炭化珪素と金属とのショットキー電極界面が炭化金属と金属シリサイド、金属とシリコンと炭素の3元系化合物又はこれらの混合物であることを特徴とするJBS(Junction Barrier controlled Schottky diode:接合障壁ショットキーダイオード)構造の炭化珪素ショットキーバリアダイオードである。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

炭化珪素と金属とのショットキー電極界面が炭化金属と金属シリサイド、金属とシリコンと炭素の3元系化合物又はこれらの混合物であることを特徴とするJBS構造の炭化珪素ショットキーバリアダイオード。

IPC (2件)：

H01L 29/47 , H01L 29/872

FI (2件)：

H01L29/48 D , H01L29/48 M

Fターム (13件)：

4M104AA03 , 4M104BB21 , 4M104BB25 , 4M104BB34 , 4M104CC03 , 4M104DD34 , 4M104DD79 , 4M104DD84 , 4M104FF32 , 4M104FF35 , 4M104GG03 , 4M104HH08 , 4M104HH20

引用特許：

審査官引用 (9件)

ショットキー接合型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-118528 出願人：財団法人電力中央研究所
ショットキ接合を有する炭化珪素半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-333551 出願人：三洋電機株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-261957 出願人：株式会社東芝

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引用文献：

審査官引用 (3件)

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