特許
J-GLOBAL ID：201203009039775741

抵抗ドリフト軽減のためのメモリ読み取り方法、メモリ・コントローラ、コンピュータ・プログラム、及びメモリ・デバイス

発明者：
フランチェスキーニ、ミケレ、マルティノ

フランチェスキーニ、ミケレ、マルティノ について

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ラストラス-モン-タノ、ルイス

ラストラス-モン-タノ、ルイス について

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カリディス、ジョン、ピーター

カリディス、ジョン、ピーター について


出願人/特許権者：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション について


代理人 (3件)： 上野 剛史 ,  太佐 種一 ,  市位 嘉宏
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-550529
公開番号（公開出願番号）：特表2012-518862
出願日： 2010年02月12日
公開日（公表日）： 2012年08月16日
要約：
【課題】 相変化メモリ・セルにおいて抵抗ドリフトとは無関係にデータを読み取り記憶するための方法を提供する。【解決手段】 抵抗ドリフトを軽減する、相変化メモリ・セルを読み取るための技法。1つの考えられる方法は、メモリ・セルに複数の電気入力信号を印加することを含む。この方法は、複数の電気入力信号の結果として得られるメモリ・セルからの複数の電気出力信号を測定することを含む。この方法は、メモリ・セルにおけるアモルファス材料の構成に依存する複数の電気出力信号の不変成分を計算することを含む。また、この方法は、不変成分に基づいてメモリ・セルのメモリ状態を判断することを含む。本発明の好適な実施形態において、この方法は、更に、複数の測定領域のうち1つの測定領域に複数の電気出力信号をマッピングすることを含む。測定領域はメモリ・セルのメモリ状態に相当する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
メモリ・セルを動作させるための方法であって、前記メモリ・セルのメモリ状態が前記メモリ・セルにおけるアモルファス材料の構成によって表され、前記メモリ・セルの抵抗がある時間期間にわたってドリフトし、前記方法が、 前記メモリ・セルに複数の電気入力信号を印加することと、 前記複数の電気入力信号の結果として得られる前記メモリ・セルからの複数の電気出力信号を測定することと、 前記メモリ・セルにおけるアモルファス材料の前記構成に依存する前記複数の電気出力信号の不変成分を計算することであって、前記不変成分が前記ある時間期間にわたった前記メモリ・セルの抵抗ドリフト特徴とは実質的に無関係であることと、 前記不変成分に基づいて前記メモリ・セルのメモリ状態を判断することと、 を含む、方法。
IPC (6件)：
G11C 13/00 ,  G11C 29/56 ,  G11C 29/12 ,  G11C 29/44 ,  H01L 27/105 ,  H01L 45/00
FI (7件)：
G11C13/00 190 ,  G11C29/00 651Z ,  G11C29/00 671Z ,  G11C29/00 655M ,  G11C13/00 110P ,  H01L27/10 448 ,  H01L45/00 A
Fターム (9件)：
5F083FZ10 ,  5F083JA60 ,  5F083ZA21 ,  5L106AA07 ,  5L106BB01 ,  5L106DD24 ,  5L106DD25 ,  5L106DD26 ,  5L106FF05
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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