特許
J-GLOBAL ID：201203082818897488

光半導体実装用基板、その製造方法、及び光半導体装置

発明者：
小林 良聡

小林 良聡 について

, 
座間 悟

座間 悟 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-009004
公開番号（公開出願番号）：特開2012-151289
出願日： 2011年01月19日
公開日（公表日）： 2012年08月09日
要約：
【課題】可視光域である波長400〜800nmの反射率が80%以上を維持すると同時に、近紫外域である波長340〜380nm付近に出現する反射率吸収ピークを減衰あるいは消滅させて反射率低下を抑制することができる光半導体実装用基板を提供する。【解決手段】導電性基板1上にめっき法で銀または銀合金からなる皮膜を形成し、該皮膜表面を電解処理、好ましくは該被膜を外気に曝すことなく電解処理して、原子間力顕微鏡(Atomic Force Microscope:AFM)で5μm×5μmの視野内で測定した表面粗さSaが2nmを超えて50nm未満の反射層2とする光半導体実装用基板の製造方法である。導電性基板上にめっき法で銀または銀合金からなる皮膜を形成した後、該皮膜を外気に曝すことなく電解処理することが好ましい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
導電性基板上にめっき法で銀または銀合金からなる皮膜を形成し、該皮膜表面を電解処理して、原子間力顕微鏡(Atomic Force Microscope:AFM)で5μm×5μmの視野内で測定した表面粗さSaが2nmを超えて50nm未満の反射層とする光半導体実装用基板の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 33/60 ,  H01L 33/62
FI (2件)：
H01L33/00 432 ,  H01L33/00 440
Fターム (10件)：
5F041AA04 ,  5F041AA33 ,  5F041AA44 ,  5F041DA07 ,  5F041DA17 ,  5F041DA22 ,  5F041DA26 ,  5F041DA29 ,  5F041DA43 ,  5F041DA78
引用特許：
審査官引用 (4件)
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