特許
J-GLOBAL ID：201203086675193765

固体撮像素子および駆動方法、並びに電子機器

発明者：
大池 祐輔

大池 祐輔 について

, 
町田 貴志

町田 貴志 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 稲本 義雄 ,  西川 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-279508
公開番号（公開出願番号）：特開2012-129798
出願日： 2010年12月15日
公開日（公表日）： 2012年07月05日
要約：
【課題】撮像画像の高画質化を図る。【解決手段】CMOSイメージセンサの画素アレイ部には、フォトダイオード61と、フォトダイオード61により生成された電荷を浮遊拡散領域65に転送する転送ゲート64と、浮遊拡散領域65の電荷を排出するリセットトランジスタ66とを少なくとも備える複数の単位画素50が配列されている。また、単位画素50における配線層より下層には、フォトダイオード61の受光部を除く単位画素50の略全ての表面を遮光する遮光膜73が形成される。リセットトランジスタ66による電荷排出時には、遮光膜73に印加される電圧が第1の電圧とされ、転送ゲート64による電荷転送時には、遮光膜73に印加される電圧が前記第1の電圧より高い第2の電圧とされる。本発明は、例えば、CMOSイメージセンサに適用することができる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
光電変換部と、前記光電変換部により生成された電荷を所定の領域に転送する転送手段と、前記所定の領域の電荷を排出する排出手段とを少なくとも備える複数の単位画素と、 前記単位画素における配線層より下層に形成され、前記光電変換部の受光部を除く前記複数の単位画素の略全ての表面を遮光する遮光膜と、 前記遮光膜に印加する電圧を制御する電圧制御手段と を備え、 前記電圧制御手段は、前記排出手段による電荷排出時に、前記遮光膜に印加する電圧を第1の電圧とし、前記転送手段による電荷転送時に、前記遮光膜に印加する電圧を前記第1の電圧より高い第2の電圧とする 固体撮像素子。
IPC (3件)：
H04N 5/374 ,  H01L 27/146 ,  H04N 5/357
FI (3件)：
H04N5/335 740 ,  H01L27/14 A ,  H04N5/335 570
Fターム (20件)：
4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118EA15 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33 ,  4M118GB03 ,  4M118GB07 ,  4M118GB11 ,  4M118GB15 ,  5C024CX41 ,  5C024CX43 ,  5C024CY02 ,  5C024CY16 ,  5C024GY31 ,  5C024GZ01 ,  5C024HX47 ,  5C024JX21
引用特許：
審査官引用 (5件)
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