特許
J-GLOBAL ID:201203087458275776
プラズマ処理方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
渡辺 望稔
, 三和 晴子
, 伊東 秀明
, 三橋 史生
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-252595
公開番号(公開出願番号):特開2012-104399
出願日: 2010年11月11日
公開日(公表日): 2012年05月31日
要約:
【課題】誘電体バリア放電による大気圧プラズマCVDで基板の処理を行なうに際し、長時間に渡って安定したプラズマを生成することができ、これにより、長時間に渡って安定して高品位な処理を行うことを可能にするプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】電極対にプラズマ励起電力を供給する電源装置として、20kHz〜3MHzで単一周波数の正弦波の電力を出力する電源、キャパシタンスおよびインダクタンスが可変であるLC共振回路、および、パルス制御素子を有する装置を用いることにより、前記課題を解決する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
大気圧プラズマによって基板を処理するに際し、
大気圧プラズマを生成するための電極対にプラズマ励起電力を供給する電源装置として、20kHz〜3MHzで単一周波数の正弦波の電力を出力する電源と、インダクタンスおよびキャパシタンスが可変であるLC共振回路と、前記電極対に直列に接続されるパルス制御素子とを有する電源装置を用い、
前記大気圧プラズマの状態に応じて、前記インダクタンスおよびキャパシタンスを調整して、前記基板の処理を行うことを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (4件):
H05H 1/24
, H01L 21/31
, C23C 16/503
, H05H 1/46
FI (4件):
H05H1/24
, H01L21/31 C
, C23C16/503
, H05H1/46 R
Fターム (43件):
4F073AA06
, 4F073AA32
, 4F073BA07
, 4F073BA08
, 4F073BA13
, 4F073BA18
, 4F073BA19
, 4F073BA23
, 4F073BA24
, 4F073BA26
, 4F073BA29
, 4F073BA31
, 4F073BB01
, 4F073CA01
, 4F073CA02
, 4F073CA04
, 4F073CA07
, 4F073CA69
, 4F073HA12
, 4K030AA06
, 4K030AA14
, 4K030AA18
, 4K030BA44
, 4K030BB11
, 4K030CA07
, 4K030CA12
, 4K030FA03
, 4K030GA14
, 4K030JA09
, 4K030JA18
, 4K030KA01
, 4K030KA16
, 4K030KA30
, 5F045AA08
, 5F045AB32
, 5F045AC07
, 5F045AC11
, 5F045AC15
, 5F045AE29
, 5F045BB08
, 5F045DP22
, 5F045EH12
, 5F045EH19
引用特許:
前のページに戻る