特許
J-GLOBAL ID：201203089658099363

太陽電池及び太陽電池モジュール

発明者：
ヤン ヨンスン

ヤン ヨンスン について

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シン ミョンジュン

シン ミョンジュン について

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チェ ミンホ

チェ ミンホ について

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リー ソングン

リー ソングン について


出願人/特許権者：
エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド

エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド について


代理人 (5件)： 青木 篤 ,  鶴田 準一 ,  南山 知広 ,  河合 章 ,  中村 健一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-113034
公開番号（公開出願番号）：特開2012-244175
出願日： 2012年05月17日
公開日（公表日）： 2012年12月10日
要約：
【課題】本発明は太陽電池に関する。【解決手段】本発明の太陽電池は、半導体基板、前記半導体基板に位置し前記半導体基板とp-n接合を形成するエミッタ部、前記半導体基板に位置し前記エミッタ部と接続されている第1電極、前記半導体基板の上に位置し前記半導体基板と接続されている第2電極、そして前記半導体基板の上に位置し前記第2電極と接続されている第2電極用集電部を含み、前記第2電極用集電部上に位置する導電性フィルムの進行方向である第1方向に前記第2電極と前記第2電極用集電部が重畳する重畳距離は前記第1方向と交差する第2方向に前記第2電極と前記第2電極用集電部が重畳する重畳距離より小さいことを特徴とする。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板に位置し前記半導体基板とp-n接合を形成するエミッタ部と、 前記半導体基板に位置し前記エミッタ部と接続されている第1電極と、 前記半導体基板の上に位置し前記半導体基板と接続されている第2電極と、そして 前記半導体基板の上に位置し前記第2電極と接続されている第2電極用集電部と を含み、 前記第2電極用集電部上に位置する導電性フィルムの進行方向である第1方向に前記第2電極と前記第2電極用集電部が重畳する重畳距離は前記第1方向と交差する第2方向に前記第2電極と前記第2電極用集電部が重畳する重畳距離より小さい太陽電池。
IPC (1件)：
H01L 31/04
FI (1件)：
H01L31/04 H
Fターム (16件)：
5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151CB20 ,  5F151CB21 ,  5F151CB27 ,  5F151DA03 ,  5F151EA18 ,  5F151EA19 ,  5F151FA06 ,  5F151FA15 ,  5F151FA16 ,  5F151FA17 ,  5F151GA04 ,  5F151GA14 ,  5F151HA03 ,  5F151JA07
引用特許：
審査官引用 (4件)
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